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碳滲金屬用于電接觸點(diǎn)材料的制作方法

文檔序號:6871783閱讀:222來源:國知局
專利名稱:碳滲金屬用于電接觸點(diǎn)材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種碳滲金屬用于電接觸點(diǎn)材料裝置。
背景技術(shù)
銀基觸頭是廣泛應(yīng)用于繼電器、接觸器、負(fù)荷開關(guān)、中低壓斷路器以及家用電器、汽車電器(喇叭、車燈、點(diǎn)火)等開關(guān)電器的主導(dǎo)電接觸材料,國家″十五″863計劃給予了重大支持,已開發(fā)出具有特色的銀氧化錫(AgSnO2)、銀氧化鋅(AgZnO)、銀鎳和銀碳等銀基系列觸頭生產(chǎn)技術(shù),它采用控制銀基觸頭材料的成分和組織,使觸頭電性能得到大幅度提高。高性能電接觸材料該方向的特色是理論研究和實(shí)際開發(fā)研究并重,在納米電接觸材料研究方面取得重大突破,在納米電接觸材料的具體應(yīng)用上達(dá)到國際水平,獲自然科學(xué)基金、國家“863”計劃連續(xù)資助,轉(zhuǎn)化的科技成果經(jīng)濟(jì)效益可觀。新型電子功能材料主要研究ETM光電材料和III族氮化物寬能隙光電材料。ETM光電材料是最有希望的下一代光存儲材料,其不僅可開發(fā)出可擦除重寫光存儲系統(tǒng),而且響應(yīng)快,存儲密度高,有無限的讀寫循環(huán)壽命,在諸多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。新型磁性材料在國內(nèi)外率先提出復(fù)合合金化和晶間微合金化方法提高磁體磁性能,并進(jìn)行了深入研究。在納米雙相復(fù)合永磁材料研究中創(chuàng)造性地提出用合金化方法實(shí)現(xiàn)亞穩(wěn)相轉(zhuǎn)變達(dá)到納米軟硬磁相理想匹配等。材料的微觀量子理論研究量子干涉對弱相干光驅(qū)動的V型三能級原子和雙相干光驅(qū)動的Λ型四能級原子共振熒光壓縮譜的影響。該研究結(jié)果將大大拓寬研究共振熒光壓縮效應(yīng)的原子參數(shù)選取范圍,為產(chǎn)生原子躍遷間的量子干涉提供了相當(dāng)實(shí)際的新方案。但是,在科研與小型實(shí)驗(yàn)中雖然取得實(shí)效,可在實(shí)際產(chǎn)業(yè)化中和經(jīng)濟(jì)效益中卻還存在著相當(dāng)差距。同時不難看出金屬復(fù)合材料已經(jīng)形成科研氣候即金屬與非金屬材料開發(fā)應(yīng)用已形成追求高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)、提高經(jīng)濟(jì)效益、環(huán)保節(jié)約能源及提高材料功能是材料革命的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種采用優(yōu)越性能的碳材料作為基礎(chǔ)材料,與有色金屬(金、銀、銅、鋁)進(jìn)行復(fù)合,以達(dá)到一個優(yōu)于金、銀、銅、鋁自身性能新水平的碳滲金屬用于電接觸點(diǎn)材料。本發(fā)明主要包括有電接觸點(diǎn)A、電接觸點(diǎn)B、電接觸點(diǎn)連接電源線及外固定鑲嵌材料,電源開啟時A、B兩接觸點(diǎn)互相接觸而連接通電,關(guān)閉時A、B兩接觸點(diǎn)離開而斷開電源。電接觸點(diǎn)材料是以資源豐富的碳材料作為基礎(chǔ)材料首先進(jìn)行含炭量99%以上提純技術(shù)處理,然后將預(yù)期所應(yīng)用的材料用金、銀、銅、鋁對含炭量99%以上提純度技術(shù)處理的碳材料(天然石墨、人造石墨、碳纖維制作的無定型材料)進(jìn)行滲透、定型、工藝處理。在處理工藝中,為了達(dá)到所滲透的材料預(yù)期效果,采用容器內(nèi)已裝有要滲透的材料即抽真空其負(fù)壓達(dá)幾十mpa后,再注入經(jīng)適度溫度融化為液體的金、銀、銅、鋁材料進(jìn)行滲透、根據(jù)材料所具備的特征有時也可以采用不抽真空澆鑄方式等均可受到理想的材料結(jié)果??傊に囀歉鶕?jù)材料特性而制定的,其得出來材料結(jié)果是性能超群的。在這里關(guān)于工藝流程無法一一列舉。
本發(fā)明的原理是 采用以資源豐富的碳材料作為基礎(chǔ)材料首先進(jìn)行含炭量99%以上提純技術(shù)處理,然后將預(yù)期所應(yīng)用的材料用金、銀、銅、鋁對含炭量99%以上提純度技術(shù)處理的碳材料(天然石墨、人造石墨、碳纖維制作的無定型材料)進(jìn)行滲透、定型、工藝處理。其主要因?yàn)樘疾牧吓c有色金屬材料相比價格優(yōu)越、資源豐富、容易獲取、體積比重輕、耐高溫、耐低溫、耐摩擦、熱脹冷縮系數(shù)小、電阻小于接近白銀、優(yōu)于鋁材,耐腐蝕、強(qiáng)度高,使用壽命長等獨(dú)特優(yōu)越性能,因此,作為電接觸點(diǎn)在接觸電源的瞬間不會產(chǎn)生電弧光、燒毀電器,是新一代理想的功能性材料,必將在其它領(lǐng)域發(fā)揮其獨(dú)有的優(yōu)勢。
本發(fā)明的適用范圍是 其主要實(shí)用于航空航天工業(yè)、火箭、飛機(jī)、軍工企業(yè)的武器裝備、船舶工業(yè)、車輛制造、各種電器、電子部件及其電源接觸點(diǎn)和機(jī)械軸承、軸瓦、耐摩擦部件等。
本發(fā)明優(yōu)點(diǎn) 采用以資源豐富的碳材料其含炭量99%以上提純技術(shù)處理,然后將預(yù)期所應(yīng)用的材料用金、銀、銅、鋁對以提純度技術(shù)處理的碳材料(天然石墨、人造石墨、碳纖維制作的無定型材料)進(jìn)行滲透、定型、工藝處理。其主要因?yàn)樘疾牧吓c有色金屬材料相比價格優(yōu)越、資源豐富、容易獲取、體積比重輕、耐高溫、耐低溫、耐摩擦、熱脹冷縮系數(shù)小、電阻小于接近白銀、優(yōu)于鋁材,耐腐蝕、強(qiáng)度高,使用壽命長等獨(dú)特優(yōu)越性能,因此,作為電接觸點(diǎn)在接觸電源的瞬間不會產(chǎn)生電弧光燒毀電器等諸多優(yōu)點(diǎn)。并且相當(dāng)于鋼鐵或其他金屬材料同樣有及高的回收價值和再利用作用。


圖1是本發(fā)明的立體示意簡2是本發(fā)明的電接觸點(diǎn)接觸時立體示意簡3是本發(fā)明的平面示意簡圖具體實(shí)施方式
在圖1所示的一種采用優(yōu)越性能的碳材料作為基礎(chǔ)材料、與有色金屬(金、銀、銅、鋁)進(jìn)行復(fù)合、以達(dá)到一個優(yōu)于金、銀、銅、鋁自身性能新水平的碳滲金屬用于電接觸點(diǎn)材料立體示意簡圖中,主要包括有電接觸點(diǎn)A1、電接觸點(diǎn)B2、電接觸點(diǎn)連接電源線及外固定鑲嵌材料3,開啟式A、B兩接觸點(diǎn)互相接觸而連接通電,關(guān)閉時A、B兩接觸點(diǎn)離開而斷開電源。圖2所示的是接觸點(diǎn)接觸圖。圖3所示的是平面示意簡圖。
權(quán)利要求
1.一種采用優(yōu)越性能的碳材料作為基礎(chǔ)材料,與有色金屬(金、銀、銅、鋁)進(jìn)行復(fù)合,以達(dá)到一個優(yōu)于金、銀、銅、鋁自身性能新水平的碳滲金屬用于電接觸點(diǎn)材料。本發(fā)明主要包括有電接觸點(diǎn)A、電接觸點(diǎn)B、電接觸點(diǎn)連接電源線及外固定鑲嵌材料,電源開啟時A、B兩接觸點(diǎn)互相接觸而連接通電,關(guān)閉時A、B兩接觸點(diǎn)離開而斷開電源。電接觸點(diǎn)材料是以資源豐富的碳材料作為基礎(chǔ)材料首先進(jìn)行含炭量99%以上提純技術(shù)處理,然后將預(yù)期所應(yīng)用的材料用金、銀、銅、鋁對含炭量99%以上提純度技術(shù)處理的碳材料(天然石墨、人造石墨、碳纖維制作的無定型材料)進(jìn)行滲透、定型、工藝處理。在處理工藝中,為了達(dá)到所滲透的材料預(yù)期效果,采用容器內(nèi)已裝有要滲透的材料即抽真空其負(fù)壓達(dá)幾十mpa后,再注入經(jīng)適度溫度融化為液體的金、銀、銅、鋁材料進(jìn)行滲透、根據(jù)材料所具備的特征有時也可以采用不抽真空澆鑄方式等均可受到理想的材料結(jié)果。
全文摘要
一種碳滲金屬用于電接觸點(diǎn)材料,本發(fā)明主要包括有電接觸點(diǎn)A、電接觸點(diǎn)B、電接觸點(diǎn)連接電源線及外固定鑲嵌材料,電源開啟時A、B兩接觸點(diǎn)互相接觸而連接通電,關(guān)閉時A、B兩接觸點(diǎn)離開而斷開電源。電接觸點(diǎn)材料是以資源豐富的碳材料作為基礎(chǔ)材料首先進(jìn)行含炭量99%以上提純技術(shù)處理,然后將預(yù)期所應(yīng)用的材料用金、銀、銅、鋁對含炭量99%以上提純度技術(shù)處理的碳材料(天然石墨、人造石墨、碳纖維制作的無定型材料)進(jìn)行滲透、定型、工藝處理。優(yōu)點(diǎn)體積比重輕、耐高溫、耐低溫、耐摩擦、熱脹冷縮系數(shù)小、電阻小于接近白銀、優(yōu)于鋁材,耐腐蝕、強(qiáng)度高,使用壽命長,作為電接觸點(diǎn)在接觸電源的瞬間不會產(chǎn)生電弧光燒毀電器等諸多優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H01H1/02GK1885459SQ20061004668
公開日2006年12月27日 申請日期2006年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月26日
發(fā)明者肖忠淵 申請人:肖忠淵
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