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磁控管單元、磁控管濺射設備和制造電子器件的方法

文檔序號:6921243閱讀:153來源:國知局
專利名稱:磁控管單元、磁控管濺射設備和制造電子器件的方法
技術領域
0001本發(fā)明涉及一種在諸如晶片的基底上沉積材料膜的磁控
管濺射設備所用的磁控管單元,更具體地,涉及一種用于磁控管式濺 射設備的磁控管單元、磁控管濺射設備以及制造電子器件的方法,其 使用在面對濺射靶的晶片緊鄰著靶被掃描時沉積膜的方案(以下稱為 "成行方案")。
背景技術
在圖8和9中所示的各情況中,在靶的兩端處的磁場強度 可以調(diào)節(jié)成高于中間部分上的磁場強度。該調(diào)節(jié)促使更多來自靶沿縱 向方向的兩端部分的賊射顆粒沉積到基底上,由此抑制基底的外周邊 部分上的膜厚的突然減小。例如,可以設計具有以下尺寸的設備P=200mm, W=450mm, D=130mm,以及T-100mm。
[0073根據(jù)上述每個實施例,可以提供一種能夠容易精確地調(diào)節(jié) 在基底的整個表面上所形成的膜的膜厚分布而不會增加基于成行方案 的磁控管'減射設備的尺寸的磁控管單元。
[0074(制造電子器件的方法的應用)
根據(jù)本發(fā)明的每個實施例的磁控管單元8也可以應用至用于形成 膜的陰極磁體以制造電子器件,例如大平板顯示器(液晶顯示器)、 薄膜太陽能電池板、微感應器、磁打印頭、使用諸如MRAM(磁阻隨 機存取存儲器)的磁性薄膜的存儲器或類似物。
[0075例如,在用于大平板顯示器(液晶顯示器)或類似物的成 膜步驟(賊射步驟)中,使用大的矩形耙(濺射靶)。陰極磁體布置 在濺射靶的相對表面?zhèn)壬?。在許多情況下,陰極磁體具有如同本發(fā)明 的各實施例中的磁控管單元8的矩形形狀。然而注意,這種磁體具有 米的量級上的尺寸。同樣在這種情況下,必須通過使用磁控管單元的 磁場調(diào)節(jié)來調(diào)節(jié)膜厚分布。然而,由于磁體本身較大,排斥力(吸引 力)也較大。因此,難于通過以傳統(tǒng)方式更換和附裝/拆卸磁體來調(diào)節(jié) 磁場。
[0076圖19A是示出通過布置用于濺射靶的多個磁控管單元8來 調(diào)節(jié)磁場分布的示例的視圖。圖19B是示出以下示例的視圖,在該示 例中當有多個濺射靶時,通過對每個濺射靶都提供根據(jù)本發(fā)明的磁控管 單元8來執(zhí)行用于每個濺射靶的磁場調(diào)節(jié)。根據(jù)本發(fā)明的各實施例的磁 控管單元8允許在不拆卸任何被用于成膜步驟的磁體的情況下進行磁 場調(diào)節(jié),所述成膜步驟用于制造電子器件,例如大平板顯示器(液晶 顯示器)、薄膜太陽能電池板、微感應器、磁打印頭、使用諸如MRAM的磁性薄膜的存儲器或類似物。
[0077雖然已經(jīng)參照


本發(fā)明的優(yōu)選實施例,但本發(fā)明不受 這些實施例限制,并且在所附權(quán)利要求書所限定的技術范圍內(nèi)可以進行 多種修改。
[0078本申請享有2007年10月31日提交的日本專利申請 No.2007-283438的權(quán)益,該申請整體通過參考包含于此。
權(quán)利要求
1.一種磁控管單元,包括多個第一磁體元件,每個第一磁體元件都包括具有相同極性且設置在由磁性材料制成的軛板的兩端部分上的第一磁體、以及具有與所述第一磁體的極性相反的極性且布置在所述軛板的中間部分上的第二磁體;基板,在所述基板上設置有運動裝置以使所述多個第一磁體元件中的每個都沿一個方向運動;以及兩個第二磁體元件,所述第二磁體元件包括由磁性材料制成且固定至所述基板的兩端部分的軛板、具有與所述第二磁體的極性相同的極性且布置在軛板上的磁體、以及具有與所述第一磁體的極性相同的極性且設置在所述磁體上的磁體。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁控管單元,其中布置在所述基板上的 所述運動裝置還包括導引裝置,其用于允許所述多個第一磁體元件沿所述一個方向運 動,以及運動機構(gòu),其通過使用所述導引裝置而使所述多個第一磁體元件 中的一個第一磁體元件沿所述一個方向運動,當所述一個第一i茲體元件通過所述運動;fe/L構(gòu)運動時,除了所述一 個第 一磁體元件以外的其它第 一磁體元件通過具有相同極性的磁體的 排斥力而沿所述一個方向運動,以及當所述其它第一磁體元件中的每個都運動時,由所述其它第一磁 體元件中相鄰的第 一磁體元件所形成的磁場被調(diào)節(jié)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控管單元,其中所述導引裝置包括 兩個導軌,其設置在所述基板上以與所述一個方向平行,以及直線導引件,其安裝在所述第一磁體元件的所述軛板上且構(gòu)造成 在所述導軌上運動從而允許每個所述第一磁體元件都沿所述一個方向 運動。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控管單元,其中所述運動機構(gòu)包括螺 紋件,所述一 個第 一磁體元件的軛板設有螺紋孔,所述其它第 一磁體元件和所述第二磁體元件的軛板都設有孔徑大 于所述螺紋孔的孔徑的通孔,以及在所述螺紋件可螺紋連接地與所述螺紋孔接合、延伸通過所述通 孔并4t轉(zhuǎn)時,所述一個第一》茲體元件沿所述一個方向運動。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控管單元,還包括用于控制所述運動 機構(gòu)的運動的控制裝置,其中所述控制裝置基于所述螺紋件的旋轉(zhuǎn)和所述螺紋件的螺距而 控制所述一個第一磁體元件沿所述一個方向的運動。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控管單元,其中根據(jù)所述一個第一磁在所述第二磁體元件和與所述第二磁體元件相鄰的第 一磁體元件之間 以及所述多個第一磁體元件之間。
7. —種包括由權(quán)利要求1至6中任一項所述的磁控管單元的磁控 管濺射設備。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁控管濺射設備,還包括保持成膜基底 的基底支架,所述成膜基底設置成面對構(gòu)成所述磁控管單元的第一磁 體元件和第二磁體元件,其中所述基底支架沿與構(gòu)成所述磁控管單元的所述第一磁體元件 和所述第二磁體元件的布置方向垂直的方向運動。
9. 一種制造電子器件的方法,所述方法包括通過使用由權(quán)利要求 1至6中任一項所述的磁控管單元制造電子器件的步驟。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造電子器件的方法,其中所述電子 器件包括平板顯示器、薄膜太陽能電池板、微感應器、磁打印頭和 MRAM (磁阻隨機存取存儲器)中至少之一。
全文摘要
一種磁控管單元包括多個第一磁體元件,每個第一磁體元件都包括具有相同極性且設置在由磁性材料制成的軛板的兩端部分上的第一磁體、以及具有與第一磁體的極性不同的極性且布置在軛板的中間部分上的第二磁體;基板,在所述基板上設置有運動裝置以使所述多個第一磁體元件中的每個沿一個方向運動;以及第二磁體元件,其包括由磁性材料制成且分別固定至基板的兩端部分的軛板、具有與第二磁體的極性相同的極性且布置在軛板上的磁體、以及具有與第一磁體的極性相同的極性且設置在所述磁體上的磁體。
文檔編號H01L21/285GK101595240SQ20088000280
公開日2009年12月2日 申請日期2008年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月31日
發(fā)明者E·N·阿巴拉, 遠藤徹哉 申請人:佳能安內(nèi)華股份有限公司
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