具有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格的制作方法
【專利摘要】揭示一種具有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格。具體實(shí)施例包括：經(jīng)由金屬層的第一圖案化制程，提供為字符線結(jié)構(gòu)、接地線結(jié)構(gòu)、電源線結(jié)構(gòu)及位線結(jié)構(gòu)中的第一者的第一結(jié)構(gòu)；經(jīng)由該金屬層的第二圖案化制程，提供與該第一結(jié)構(gòu)不同而且為該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)中的第二者的第二結(jié)構(gòu)；以及經(jīng)由該金屬層的第三圖案化制程，提供與該第一結(jié)構(gòu)及該第二結(jié)構(gòu)不同而且為該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)線、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)中的第三者的第三結(jié)構(gòu)。
【專利說明】具有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本揭示內(nèi)容是有關(guān)于微型化靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)位格(bit cell)的制造。本揭示內(nèi)容尤其可應(yīng)用于可超越20奈米(nm)技術(shù)節(jié)點(diǎn)(例如，14奈米及其它技術(shù)節(jié)點(diǎn))的SRAM位格。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著技術(shù)進(jìn)步，以及持續(xù)縮減晶體管裝置的尺寸，越來越難以維持用于制造半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)的微影可印性。例如，圖1A中的現(xiàn)有SRAM位格100包含用于字符線的金屬I接著墊101，用于接地線的金屬I接著墊103，以及金屬I位線結(jié)構(gòu)105，以及金屬2層結(jié)構(gòu)107。此外，位格100包含主動(dòng)區(qū)觸點(diǎn)109，金屬觸點(diǎn)111，以及用于完成與金屬I層結(jié)構(gòu)101、103及105關(guān)連的各種互連的通孔I結(jié)構(gòu)113，以及金屬2層結(jié)構(gòu)107。不過，位格100可能難以印在晶圓上，因?yàn)槲桓?00中顏色相同(或圖案化)的金屬結(jié)構(gòu)彼此太接近。如圖標(biāo)，例如，字符線接著墊101可能太靠近接地線接著墊103，以及接著墊101、103可能太靠近位線結(jié)構(gòu)105。因此，變成越來越難以進(jìn)一步縮小位格100的設(shè)計(jì)。此外，如圖1B所示的另一現(xiàn)有SRAM位格130，單一圖案化金屬線(例如，金屬I層結(jié)構(gòu)131及133)占據(jù)重要的空間。不過，如果減少位格130的高度(例如，以減少占用空間)，金屬I層結(jié)構(gòu)133之間的端邊至端邊間距(tip-to-tip spacing,其中端邊為結(jié)構(gòu)的短邊),特別是在相同的顏色空間中，會(huì)變成太靠近，這對位格130的微影可印性有不利影響。
[0003]因此，亟須一種有改良微影可印性的微型化SRAM位格及致能方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本揭示內(nèi)容的一方面為一種用于實(shí)現(xiàn)具有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格的方法。
[0005]本揭示內(nèi)容的另一方面為一種用有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格實(shí)現(xiàn)的裝置。
[0006]本揭示內(nèi)容的其它方面及特征會(huì)在以下說明中提出以及部分在本技藝一般技術(shù)人員審查以下內(nèi)容或?qū)W習(xí)本揭示內(nèi)容的實(shí)施后會(huì)明白。按照隨附權(quán)利要求書所特別提示，可實(shí)現(xiàn)及得到本揭示內(nèi)容的優(yōu)點(diǎn)。
[0007]根據(jù)本揭示內(nèi)容，一些技術(shù)效果的達(dá)成部分可通過一種方法，其包含:經(jīng)由金屬層的第一圖案化制程，提供為字符線結(jié)構(gòu)、接地線結(jié)構(gòu)、電源線結(jié)構(gòu)及位線結(jié)構(gòu)中的第一者的第一結(jié)構(gòu)；經(jīng)由該金屬層的第二圖案化制程，提供與該第一結(jié)構(gòu)不同而且為該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)中的第二者的第二結(jié)構(gòu)；以及經(jīng)由該金屬層的第三圖案化制程，提供與該第一結(jié)構(gòu)及該第二結(jié)構(gòu)不同而且為該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)中的第三者的第三結(jié)構(gòu)。
[0008]本揭示內(nèi)容的數(shù)個(gè)方面包括:提供具有該第一結(jié)構(gòu)、該第二結(jié)構(gòu)及該第三結(jié)構(gòu)的位格。附加方面包括:經(jīng)由該第一圖案化制程，提供該位格的該字符線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)、或其組合；經(jīng)由該第二圖案化制程，提供該位格的該位線結(jié)構(gòu)；以及經(jīng)由該第三圖案化制程，提供該位格的該接地線結(jié)構(gòu)。不同的方面包括:提供該位線結(jié)構(gòu)于該字符線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)之間、于該接地線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)之間、或其組合。其它方面包括:該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)均為金屬I層結(jié)構(gòu)。
[0009]某些方面包括:提供具有第一邊緣以及比該第一邊緣長0至10百分比的第二邊緣的該第一結(jié)構(gòu)、該第二結(jié)構(gòu)、該第三結(jié)構(gòu)、或其組合。一些方面包括:提供具有該等第一邊緣及該等第二邊緣的該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合。其它方面包括:提供與該電源線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離的該位線結(jié)構(gòu)；以及提供與該位線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離的該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合。其它方面包括:提供與該接地線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離的該字符線結(jié)構(gòu)。
[0010]本揭示內(nèi)容的一附加方面為一種裝置，其包含:字符線結(jié)構(gòu)；接地線結(jié)構(gòu)；電源線結(jié)構(gòu)；以及位線結(jié)構(gòu)，其中該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該位線結(jié)構(gòu)、或其組合都有第一邊緣以及鄰接該第一邊緣而且比該第一邊緣長0至10百分比的第二邊緣。
[0011]數(shù)個(gè)方面包括:一種裝置，其具有包含該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)的位格。附加方面包含:有該等第一邊緣及該等第二邊緣的該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合。一些方面包括:該位線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離，以及該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合與該位線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離。某些方面包括:該字符線結(jié)構(gòu)與該接地線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離。其它方面包括:該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)均為金屬I層結(jié)構(gòu)。
[0012]本揭示內(nèi)容的另一方面包括:經(jīng)由金屬層的第一圖案化制程，提供為位格的字符線結(jié)構(gòu)、接地線結(jié)構(gòu)及電源線結(jié)構(gòu)中的一者的第一結(jié)構(gòu)；經(jīng)由該金屬層的第二圖案化制程，提供該位格的位線結(jié)構(gòu)；以及經(jīng)由該金屬層的第三圖案化制程，提供與該第一結(jié)構(gòu)不同而且為該字符線結(jié)構(gòu)及該接地線結(jié)構(gòu)線中的一者的第二結(jié)構(gòu)。
[0013]附加方面包含:提供該位線結(jié)構(gòu)于該字符線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)之間、于該接地線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)之間、或其組合。一些方面包括:提供具有第一邊緣及第二邊緣的該第一結(jié)構(gòu)、該第二結(jié)構(gòu)、或其組合，該等第二邊緣是鄰接該等第一邊緣而且比該等第一邊緣長0至10百分比。不同的方面包括:提供具有該等第一邊緣及該等第二邊緣的該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合。其它方面包括:該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)均為金屬I層結(jié)構(gòu)。
[0014]熟諳此藝者由以下詳細(xì)說明可明白本揭示內(nèi)容的其它方面及技術(shù)效果，其中僅以預(yù)期可實(shí)現(xiàn)本揭示內(nèi)容的最佳模式舉例描述本揭示內(nèi)容的具體實(shí)施例。應(yīng)了解，本揭示內(nèi)容能夠做出其它及不同的具體實(shí)施例，以及在各種明顯的方面，能夠修改數(shù)個(gè)細(xì)節(jié)而不脫離本揭示內(nèi)容。因此，附圖及說明內(nèi)容本質(zhì)上應(yīng)被視為圖解說明用而不是用來限定。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]在此用附圖舉例說明而不是限定本揭示內(nèi)容，圖中類似的組件用相同的組件符號表不。
[0016]圖1A及圖1B示意圖標(biāo)有單一圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的SRAM位格；
[0017]圖2根據(jù)本揭示內(nèi)容的示范具體實(shí)施例示意圖標(biāo)有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格；
[0018]圖3根據(jù)本揭示內(nèi)容的示范具體實(shí)施例示意圖標(biāo)有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格的電路圖；
[0019]圖4根據(jù)本揭示內(nèi)容的示范具體實(shí)施例示意圖標(biāo)與有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格關(guān)連的n型阱區(qū)及主動(dòng)區(qū)；
[0020]圖5根據(jù)本揭示內(nèi)容的示范具體實(shí)施例示意圖標(biāo)與有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格關(guān)連的多晶娃結(jié)構(gòu)及多晶娃切割區(qū)；
[0021]圖6根據(jù)本揭示內(nèi)容的示范具體實(shí)施例示意圖標(biāo)與有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格關(guān)連的主動(dòng)區(qū)觸點(diǎn)、柵極觸點(diǎn)及通孔0結(jié)構(gòu)；以及
[0022]圖7根據(jù)本揭示內(nèi)容的示范具體實(shí)施例示意圖標(biāo)與有三重圖案化金屬層結(jié)構(gòu)的位格關(guān)連的通孔0結(jié)構(gòu)及金屬I層結(jié)構(gòu)。
[0023]符號說明
[0024]
【權(quán)利要求】
1.一種方法，其包含: 經(jīng)由金屬層的第一圖案化制程，提供為字符線結(jié)構(gòu)、接地線結(jié)構(gòu)、電源線結(jié)構(gòu)及位線結(jié)構(gòu)中的第一者的第一結(jié)構(gòu)； 經(jīng)由該金屬層的第二圖案化制程，提供與該第一結(jié)構(gòu)不同而且為該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)中的第二者的第二結(jié)構(gòu)；以及 經(jīng)由該金屬層的第三圖案化制程，提供與該第一結(jié)構(gòu)及該第二結(jié)構(gòu)不同而且為該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)線、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)中的第三者的第三結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 提供具有該第一結(jié)構(gòu)、該第二結(jié)構(gòu)及該第三結(jié)構(gòu)的位格。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括: 經(jīng)由該第一圖案化制程，提供該位格的該字符線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)、或彼等的組合； 經(jīng)由該第二圖案化制程，提供該位格的該位線結(jié)構(gòu)；以及 經(jīng)由該第三圖案化制程，提供該位格的該接地線結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括: 提供該位線結(jié)構(gòu)于該字符線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)之間、于該接地線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)之間、或其組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 提供具有第一邊緣以及比該第一邊緣長O至10百分比的第二邊緣的該第一結(jié)構(gòu)、該第二結(jié)構(gòu)、該第三結(jié)構(gòu)、或其組合。`
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括: 提供具有該等第一邊緣及該等第二邊緣的該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 提供與該電源線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離的該位線結(jié)構(gòu)；以及 提供與該位線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離的該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組入口 o
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 提供與該接地線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離的該字符線結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)均為金屬I層結(jié)構(gòu)。
10.一種裝置，其包含: 字符線結(jié)構(gòu)； 接地線結(jié)構(gòu)； 電源線結(jié)構(gòu)；以及 位線結(jié)構(gòu)，其中該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該位線結(jié)構(gòu)、或其組合具有第一邊緣以及鄰接該第一邊緣而且比該第一邊緣長0至10百分比的第二邊緣。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，還包含: 具有該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)的位格。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中，該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合具有該第一邊緣與該第二邊緣。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中，該位線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離，以及該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合與該位線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中，該字符線結(jié)構(gòu)與該接地線結(jié)構(gòu)有32奈米至42奈米的距離。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中，該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)均為金屬I層結(jié)構(gòu)。
16.—種方法,其包含: 經(jīng)由金屬層的第一圖案化制程，提供為位格的字符線結(jié)構(gòu)、接地線結(jié)構(gòu)及電源線結(jié)構(gòu)中的一者的第一結(jié)構(gòu)； 經(jīng)由該金屬層的第二圖案化制程，提供該位格的位線結(jié)構(gòu)；以及 經(jīng)由該金屬層的第三圖案化制程，提供與該第一結(jié)構(gòu)不同而且為該字符線結(jié)構(gòu)及該接地線結(jié)構(gòu)線中的一者的第二結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括: 提供該位線結(jié)構(gòu)于該字符線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)之間、于該接地線結(jié)構(gòu)與該電源線結(jié)構(gòu)之間、或其組合。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括: 提供具有第一邊緣及第 二邊緣的該第一結(jié)構(gòu)、該第二結(jié)構(gòu)、或其組合，該等第二邊緣是鄰接該等第一邊緣且比該等第一邊緣長0至10百分比。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括: 提供具有該等第一邊緣及該等第二邊緣的該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、或其組合。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，該字符線結(jié)構(gòu)、該接地線結(jié)構(gòu)、該電源線結(jié)構(gòu)及該位線結(jié)構(gòu)均為金屬I層結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】H01L23/528GK103681472SQ201310410551
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月14日
【發(fā)明者】J·金, J·桂 申請人:格羅方德半導(dǎo)體公司