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鍍鋁銅結(jié)合導(dǎo)線及制作其的方法

文檔序號(hào):7038092閱讀:405來源:國知局
鍍鋁銅結(jié)合導(dǎo)線及制作其的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及導(dǎo)線,優(yōu)選地用于微電子學(xué)中的結(jié)合的結(jié)合導(dǎo)線,包括具有表面的銅芯(2)和涂層(3),該涂層(3)被疊加在銅芯(2)的表面上,其中,涂層(3)包括鋁,其中,涂層(3)的厚度與銅芯(2)的直徑的比在從0.05至0.2μm范圍內(nèi),其中,銅芯(2)的直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差與銅芯(2)的直徑的比在從0.005至0.05μm范圍內(nèi),并且其中,涂層(3)的厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差與涂層(3)的厚度的比在從0.05至0.4μm范圍內(nèi),其中導(dǎo)線具有在從100μm至600μm范圍內(nèi)的直徑。本發(fā)明還涉及一種用于制作導(dǎo)線的工藝、由所述工藝可獲得的導(dǎo)線、包括至少兩個(gè)元件和至少上述導(dǎo)線的電設(shè)備、包括所述電設(shè)備的推進(jìn)設(shè)備和由楔結(jié)合來通過上述導(dǎo)線連接兩個(gè)元件的工藝。
【專利說明】鍍鋁銅結(jié)合導(dǎo)線及制作其的方法
[0001] 本發(fā)明涉及優(yōu)選地用于微電子學(xué)中的結(jié)合的導(dǎo)線,包括具有表面的銅芯和b.涂 層,該涂層被疊加在銅芯的表面上,其中,涂層包括鋁,其中,涂層的厚度與銅芯的直徑的 比在從0. 05至0. 2范圍內(nèi),其中,銅芯的直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差與銅芯的直徑的比在從0. 005至 0. 05范圍內(nèi),并且其中,涂層的厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差與涂層的厚度的比在從0. 05至0. 4范圍內(nèi), 其中,導(dǎo)線具有在從100 Mm至600 Mm范圍內(nèi)的直徑。本發(fā)明還涉及一種用于制作導(dǎo)線的 工藝、由所述工藝可獲得的導(dǎo)線、包括至少兩個(gè)元件和至少上述導(dǎo)線的電設(shè)備、包括所述電 設(shè)備的推進(jìn)設(shè)備和由楔結(jié)合通過上述導(dǎo)線來連接兩個(gè)元件的工藝。
[0002] 結(jié)合導(dǎo)線在半導(dǎo)體器件的制造中被用于在半導(dǎo)體器件制造期間將集成電路和印 刷電路板電互連。此外,結(jié)合導(dǎo)線在功率電子應(yīng)用中被用來將晶體管、二極管等與外殼的 焊盤或插腳電連接。雖然結(jié)合導(dǎo)線開始由金制成,但現(xiàn)在使用較不昂貴的材料,諸如銅或 鋁。雖然銅線提供非常好的電和熱傳導(dǎo)性,但銅線的楔結(jié)合與由鋁制成的導(dǎo)線相比具有其 挑戰(zhàn)。此外,銅線易受導(dǎo)線的氧化。
[0003] 相對(duì)于導(dǎo)線幾何結(jié)構(gòu),最常見的是圓形截面的結(jié)合導(dǎo)線和具有或多或少矩形截面 的結(jié)合帶。兩個(gè)類型的導(dǎo)線幾何結(jié)構(gòu)都具有其優(yōu)點(diǎn),使得其對(duì)特定的應(yīng)用有用。因此,兩個(gè) 類型的幾何結(jié)構(gòu)在市場(chǎng)中具有其份額。例如,結(jié)合帶針對(duì)給定的截面面積具有較大接觸面 積。然而,帶的彎曲是有限的,并且在結(jié)合時(shí)必須觀察帶的取向以便到達(dá)帶與其被結(jié)合的元 件之間的可接受電接觸。轉(zhuǎn)到結(jié)合導(dǎo)線,這些彎曲起來更加靈活。然而,結(jié)合涉及到結(jié)合工 藝中的導(dǎo)線的焊接或較大變形,其可造成損害或者甚至毀壞結(jié)合焊盤和被結(jié)合到那的元件 的底層電結(jié)構(gòu)。
[0004] 某些最近開發(fā)針對(duì)具有芯和殼的結(jié)合導(dǎo)線,其是例如涂層。作為芯材料,可由于高 電導(dǎo)率而選擇銅或金。關(guān)于涂層,鋁是更常見的選擇中的一個(gè)。這些芯殼結(jié)合導(dǎo)線將銅線 的優(yōu)點(diǎn)中的某些和鋁線的某些相組合。最近成就使得將標(biāo)準(zhǔn)楔結(jié)合工藝用于此類鍍鋁銅線 成為可能。無論如何,一直存在對(duì)進(jìn)一步改善關(guān)于結(jié)合導(dǎo)線本身和結(jié)合工藝的結(jié)合導(dǎo)線技 術(shù)的需要。
[0005] 因此,本發(fā)明的目的是提供改善的導(dǎo)線。
[0006] 因此,本發(fā)明的另一目的是提供導(dǎo)線,其具有良好的處理性質(zhì)且其在互連時(shí)不具 有特定需要,因此節(jié)省成本。
[0007] 本發(fā)明的目的還提供具有優(yōu)良電和熱傳導(dǎo)性的導(dǎo)線。
[0008] 本發(fā)明的又一目的是提供展現(xiàn)改善的可靠性的導(dǎo)線。
[0009] 本發(fā)明的又一目的是提供展現(xiàn)優(yōu)良的可結(jié)合性的導(dǎo)線。
[0010] 本發(fā)明的另一目的是提供對(duì)腐蝕和/或氧化具有改善的抵抗的導(dǎo)線。
[0011] 另一目的是提供將與標(biāo)準(zhǔn)芯片和結(jié)合技術(shù)一起使用的新型導(dǎo)線,該新型導(dǎo)線相比 于常規(guī)導(dǎo)線而言確保延長的壽命。
[0012] 又一目的是提供改善的電氣設(shè)備,特別是用于功率電子裝置,其與其中用標(biāo)準(zhǔn)鋁 線來將電氣元件互連的常規(guī)設(shè)備相比具有延長的壽命。
[0013] 另一目的是提供改善的電氣設(shè)備,特別是用于功率電子裝置,其與其中結(jié)合基于 鋁線的常規(guī)設(shè)備相比在較高電流流動(dòng)下操作。
[0014] 本發(fā)明的另一目的是提供此類改善的電氣設(shè)備,其具有與上述常規(guī)設(shè)備相同的尺 寸和類似的芯片設(shè)計(jì)。另一目的是提供用于在最初被設(shè)計(jì)成用于常規(guī)電氣設(shè)備制造的生產(chǎn) 線上制造此類改善的電氣設(shè)備的裝置。這將使用于實(shí)施改善技術(shù)的成本最小化。
[0015] 又一目的是提供改善的電氣設(shè)備,其中與常規(guī)電氣設(shè)備相比降低了非故意內(nèi)部電 橋接的概率。此外,目的是簡化或者甚至能夠省略關(guān)于電氣設(shè)備中的非故意內(nèi)部橋接的特 定預(yù)防措施。
[0016] 令人驚訝地,已發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的導(dǎo)線將解決上述目的中的至少一個(gè)。此外,已發(fā)現(xiàn)一 種用于制造這些導(dǎo)線的工藝,其克服了制造導(dǎo)線的挑戰(zhàn)中的至少一個(gè)。此外,發(fā)現(xiàn)包括本發(fā) 明的導(dǎo)線的半導(dǎo)體在根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線與其它電氣元件(例如印刷電路板、焊盤/插腳等) 之間的接口處更加可靠。
[0017] 對(duì)上述目的中的至少一個(gè)的解決方案的貢獻(xiàn)由形成種類的權(quán)利要求的主題提供, 由此,形成種類的獨(dú)立權(quán)利要求的從屬子權(quán)利要求表示本發(fā)明的優(yōu)選方面,其主題同樣地 對(duì)解決上述目的中的至少一個(gè)作出貢獻(xiàn)。
[0018] 本發(fā)明的第一方面是一種導(dǎo)線,包括: a. 具有表面(15)的銅芯(2);以及 b. 涂層(3),疊加在銅芯(2)的表面(15)上, 其中,涂層(3)包括鋁, 其中,涂層(3)的厚度與銅芯(2)的直徑的比在從0.05至0.2、優(yōu)選地從0.05至0. 15 或從0. 1至0. 15的范圍內(nèi), 其中,銅芯(2 )的直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差與銅芯(2 )的直徑的比小于0. 1,優(yōu)選地小于0. 05或 小于0. 03或從0. 03至0. 001, 其中,涂層(3)的厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差與涂層(3)的厚度的比在從0. 05至0. 4 Mm范圍內(nèi), 優(yōu)選地從0. 1至0. 3, 其中,導(dǎo)線具有從100 Mm至600 Mm范圍內(nèi),優(yōu)選地在從150 Mm至550 Mm范圍內(nèi)或者 從230 Mm至500 Mm的直徑。
[0019] 導(dǎo)線優(yōu)選地是用于微電子裝置中的結(jié)合的結(jié)合導(dǎo)線。該導(dǎo)線優(yōu)選地是一件物體。 應(yīng)在導(dǎo)線的縱向延伸的至少80%、優(yōu)選地90%內(nèi)滿足用于上述截面圖和直徑的準(zhǔn)則。
[0020] 本上下文中的術(shù)語"截面圖"指的是通過導(dǎo)線切割的視圖,其中,切割的平面垂直 于導(dǎo)線的縱向延伸。在導(dǎo)線的縱向延伸上的任何位置處可以找到截面圖。
[0021] 在截面中通過導(dǎo)線的"最長路徑"是可以通過截面圖的平面內(nèi)的導(dǎo)線的截面敷設(shè) 的最長弦(chord)。
[0022] 在截面中通過導(dǎo)線的"最短路徑"是垂直于上文定義的截面圖的平面內(nèi)的最長路 徑的最長弦。
[0023] 如果導(dǎo)線具有完美的圓形截面,則最長路徑和最短路徑變得不可區(qū)別且共享相同 的值。
[0024] 術(shù)語"直徑"是任何平面和在任何方向上的所有幾何直徑的算術(shù)平均,其中,所有 平面都垂直于導(dǎo)線的縱向延伸。
[0025] 在本發(fā)明的上下文中的術(shù)語"疊加"用來描述第一項(xiàng)目(例如銅芯)相對(duì)于第二項(xiàng) 目(例如涂層)的相對(duì)位置。可能地,可在第一和第二項(xiàng)目之間布置諸如中間層之類的更多 項(xiàng)目。優(yōu)選地,第二項(xiàng)目被至少部分地疊加在第一項(xiàng)目的表面上,諸如相對(duì)于第一項(xiàng)目的總 表面達(dá)至少30 %、50 %、70 %或達(dá)至少90%。
[0026] 在本發(fā)明的上下文中的術(shù)語"厚度"被用來定義在垂直于銅芯的縱軸的方向上的 層的尺寸,該層被至少部分地疊加在表面銅芯上。
[0027] 在本發(fā)明的上下文中的術(shù)語"中間層"是銅芯與涂層之間的導(dǎo)線區(qū)域。在此區(qū)域 中,如在芯中的材料以及如在涂層中的材料以組合方式存在,例如以至少一個(gè)金屬間相的 形式。
[0028] 在本發(fā)明的上下文中的術(shù)語"金屬間相"被用來定義兩個(gè)或更多金屬的相,其中, 不同的元件被排序到結(jié)構(gòu)中的不同的位點(diǎn)中,該位點(diǎn)具有不同的局部環(huán)境且常常是明確定 義的固定化學(xué)計(jì)量。這是關(guān)于合金的差異,其中不同的元素被隨機(jī)地分布。
[0029] 在如上文定義的截面圖中確定了長度的所有上述尺寸,例如厚度、直徑、最長路 徑、最短路徑。
[0030] 無涂覆銅線的銅芯的"表面"是導(dǎo)線/空氣界面。
[0031] 涂覆的、可能退火的導(dǎo)線的銅芯的"表面"被定義成是圍繞其中心的銅芯的虛擬界 限,該虛擬界限是Cu的濃度偏離導(dǎo)線中心處的Cu的濃度超過9. 9%-wt的地方,該中心由如 上文定義的最短和最長路徑兩者的交叉點(diǎn)定義。
[0032] 優(yōu)選地,本發(fā)明的導(dǎo)線在導(dǎo)線的截面圖中具有基本上圓形的區(qū)域。
[0033] 根據(jù)本發(fā)明的銅芯包括按重量計(jì)至少95%、優(yōu)選地按重量計(jì)至少98%的至少99. 9 % Cu的純度的元素銅(Cu),每個(gè)基于銅芯的總重量。優(yōu)選地,銅芯的純度為至少99. 99 %或 99.999 % 或 99. 9999 %。
[0034] 包括鋁的涂層優(yōu)選地選自由鋁、鋁合金或兩者的組合組成的組。
[0035] 優(yōu)選鋁是至少99. 9 % A1的純度的元素鋁(A1),更優(yōu)選地,鋁的純度為至少99. 99 % A1或99. 999 % A1。通常,此類涂層在鋁一空氣界面處形成氧化鋁薄層。
[0036] 優(yōu)選地,涂層包括按重量計(jì)至少80 %、優(yōu)選地按重量計(jì)至少90 %的99. 9 %的純 度、而更優(yōu)選地99. 99 %的純度的鋁,每個(gè)基于涂層的總重量。
[0037] 錯(cuò)合金的優(yōu)選示例是具有鎂的合金(AlMg)和基于合金的總量,具有1 %-wt的娃 的鋁的合金(AlSil)。
[0038] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,銅芯的直徑在從70至500Mm、優(yōu)選地從150至400Mm或從 200至300 Mm或從230至250Mm范圍內(nèi),每個(gè)是在導(dǎo)線的截面圖中確定的。
[0039] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,涂層的厚度在從10至6〇Mm、優(yōu)選地從20至5〇Mm、優(yōu)選地 從20至4〇Mm或從25至35Mm范圍內(nèi),每個(gè)是在導(dǎo)線的截面圖中確定的。應(yīng)在導(dǎo)線的縱向 延伸的至少80 %、優(yōu)選地90 %內(nèi)滿足用于涂層的厚度的上述準(zhǔn)則。
[0040] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,在芯與涂層之間布置中間層。該中間層優(yōu)選地包括至少 一個(gè)金屬間相,其包括芯的材料和涂層的材料。中間層通常示出用于涉及到的材料中的每 個(gè)的濃度梯度。如果兩個(gè)材料都是金屬,則形成金屬間相。
[0041] 根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選方面,在芯與涂層之間布置中間層,其中,該中間層鄰近于銅芯 且鄰近于涂層。
[0042] 導(dǎo)線的中間層被定義成是銅芯與涂層之間的導(dǎo)線區(qū)域,其中,Cu的濃度基于中間 層的總重量偏離基于銅芯總重量的銅芯中的Cu濃度超過5%it,并且其中,A1的濃度基于 中間層的總重量偏離基于涂層的總重量的涂層中的A1的濃度超過5%-wt。
[0043] 可以例如使用光顯徽術(shù)或掃描電子顯微術(shù)在導(dǎo)線的截面圖中確定上述尺寸,即涂 層的厚度、中間層的厚度和銅芯的直徑。在光顯微術(shù)中,用銅紅對(duì)銅芯進(jìn)行著色,涂層是銀 色的且中間層是灰色的??梢允褂媒M合SEM/EDX來確定上文所述的銅和鋁的濃度。(掃描 電子顯微術(shù)/能量色散X射線光譜術(shù))。
[0044] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,導(dǎo)線的任何截面圖中的中間層的面積份額在從0. 4至15 %、優(yōu)選地從0. 8至8. 5%范圍內(nèi),每個(gè)基于導(dǎo)線的截面的總面積。
[0045] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,中間層的厚度在從0. 1至5 Mm、優(yōu)選地從0. 5至3 Mm范 圍內(nèi)。應(yīng)在導(dǎo)線的縱向延伸的至少80 %、優(yōu)選地90 %內(nèi)滿足用于中間層的厚度的上述準(zhǔn) 貝1J。有時(shí),中間層的厚度方面的偏差可由于中間層的缺陷(例如氣孔)而發(fā)生。
[0046] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,中間層的厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差在從0. 1至5 Mm、優(yōu)選地從0.4 至4 Mm或從0. 5至3 Mm范圍內(nèi)。
[0047] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,耗散功對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線而言是對(duì)于由純A1制成 的參考導(dǎo)線的耗散功的至少2倍、優(yōu)選地至少3倍高。優(yōu)選地,在從20000至120000測(cè)試 循環(huán)范圍內(nèi)的測(cè)試循環(huán)中,耗散功對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線而言是對(duì)于由純A1制成的參考 導(dǎo)線的耗散功的至少2倍、優(yōu)選地至少3倍高。更優(yōu)選地,在從20000至120000測(cè)試循環(huán) 范圍內(nèi)的所有測(cè)試循環(huán)中,耗散功對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線而言是對(duì)于由純A1制成的參考 導(dǎo)線的耗散功的至少2倍、優(yōu)選地至少3倍高。然而,在某些情況下,對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo) 線的耗散功不超過由純A1制成的參考導(dǎo)線的耗散功的10倍高。此參考導(dǎo)線是由散布50 ppm鎳的99. 999 %的純度的鋁制成的鋁線(由Heraeus/德國以"AL-H11 CR"之名出售),并 且其具有與本發(fā)明的導(dǎo)線相同的截面面積。
[0048] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,最大應(yīng)變對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線而言是對(duì)于由純A1制 成的參考導(dǎo)線的最大應(yīng)變的至少1. 5倍、優(yōu)選地至少2倍高。優(yōu)選地,在從20000至120000 測(cè)試循環(huán)范圍內(nèi)的測(cè)試循環(huán)中,最大應(yīng)變對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線而言是來自由純A1制成 的參考導(dǎo)線的最大應(yīng)變的至少2倍、優(yōu)選地至少4倍高。更優(yōu)選地,在從20000至120000 測(cè)試循環(huán)范圍內(nèi)的所有測(cè)試循環(huán)中,最大應(yīng)變對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線而言是由純A1制成 的參考導(dǎo)線的最大應(yīng)變的至少1. 5倍、優(yōu)選地至少2倍高。然而,在某些情況下,對(duì)于根據(jù) 本發(fā)明的導(dǎo)線的最大應(yīng)變率不超過由純A1制成的參考導(dǎo)線的最大應(yīng)變的10倍高。此參考 導(dǎo)線是由散布50 ppm鎳的99. 999 %的純度的鋁制成的鋁線,(由Heraeus/德國以"AL-H11 CR"之名出售),并且其具有與本發(fā)明的導(dǎo)線相同的截面面積。
[0049] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,在從20000至120000測(cè)試循環(huán)范圍內(nèi)的測(cè)試循環(huán)中,功 率循環(huán)測(cè)試中的在相同條件下的循環(huán)數(shù)目對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線而言是由純A1制成的參 考導(dǎo)線的功率循環(huán)測(cè)試的至少3倍、優(yōu)選地至少4倍高。更優(yōu)選地,在從20000至120000 測(cè)試循環(huán)范圍內(nèi)的所有測(cè)試循環(huán)中,功率循環(huán)測(cè)試中的在相同條件下的循環(huán)數(shù)目對(duì)于根據(jù) 本發(fā)明的導(dǎo)線而言是由純A1制成的參考導(dǎo)線的功率循環(huán)測(cè)試的至少3倍、優(yōu)選地至少4倍 高。然而,在某些情況下,功率循環(huán)測(cè)試中的相同條件下的循環(huán)數(shù)目是由純A1制成的參考 導(dǎo)線的耗散功的不超過50倍高。此參考導(dǎo)線是由散布50 ppm鎳的99. 999 %的純度的鋁 制成的鋁線(由Heraeus/德國以"AL-H11 CR"之名出售),并且其具有與本發(fā)明的導(dǎo)線相同 的截面面積。
[0050] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,導(dǎo)線的導(dǎo)線結(jié)合剪切力對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線而言至少 與對(duì)于由純A1制成的參考導(dǎo)線一樣高。下面描述此測(cè)試。此參考導(dǎo)線是由散布50 ppm鎳 的99. 999 %的純度的鋁制成的鋁線,(由Heraeus/德國以"AL-H11 CR"之名出售),并且其 具有與本發(fā)明的導(dǎo)線相同的截面面積。
[0051] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,導(dǎo)線的導(dǎo)線拉力對(duì)于導(dǎo)線而言比對(duì)于由純A1制成的參 考導(dǎo)線至少高10%、優(yōu)選地至少高20%。此參考導(dǎo)線是由散布50 ppm鎳的99. 999 %的純度 的鋁制成的鋁線(由Heraeus/德國以"AL-H11 CR〃之名出售),并且其具有與本發(fā)明的導(dǎo)線 相同的截面面積。
[0052] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,本發(fā)明的導(dǎo)線滿足上述測(cè)試條件(即耗散功、最大應(yīng)變、 功率循環(huán)測(cè)試、導(dǎo)線結(jié)合剪切力和楔拉力)中的至少兩個(gè)或者甚至全部。
[0053] 本發(fā)明的另一方面是一種用于制造導(dǎo)線的工藝,至少包括以下步驟: a. 提供包括具有表面的銅芯和涂層的導(dǎo)線前體,該涂層被疊加在銅芯的表面上,其 中,該涂層包括錯(cuò), 其中,涂層的厚度與銅芯的直徑的比在從0. 05至0. 2、優(yōu)選地從0. 05至0. 15或從0. 1 至0. 15的范圍內(nèi), 其中,銅芯的直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差與銅芯的直徑的比小于0. 1,優(yōu)選地小于0. 05或小于 0.03 或從 0.03 至 0.001, 其中,涂層的厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差與涂層的厚度的比在從0. 05至0. 4Mffl范圍內(nèi),優(yōu)選地從 0· 1 至 0· 3, 其中,導(dǎo)線前體具有在從〇. 5至5mm范圍內(nèi)的直徑, b. 對(duì)導(dǎo)線前體進(jìn)行成形, c. 對(duì)導(dǎo)線前體進(jìn)行退火,由此獲得導(dǎo)線, 其中,導(dǎo)線具有從100 Mm至600 Mm范圍內(nèi),優(yōu)選地在從150 Mm至550 Mm范圍內(nèi)或者 從230 Mm至500 Mm的直徑。
[0054] 可以如在步驟a.中通過在銅線的表面的至少一部分上形成鋁涂層來獲得導(dǎo)線前 體。優(yōu)選地,在銅線的表面的100%或從80至100 %或從60至80 %上形成鋁層,每個(gè)相對(duì) 于銅線的總表面面積。已知用于在銅表面上且特別是在銅線上形成鋁層的許多技術(shù)。優(yōu)選 技術(shù)是鍍敷,諸如電鍍和無電電鍍、由氣相的鋁的沉積,諸如濺射、離子鍍、真空蒸發(fā)和化學(xué) 汽相沉積以及由熔體的鋁的沉積。
[0055] 可以采用銅線的預(yù)處理來使表面粗糙度適合和/或向銅線的表面添加圖案。已知 用以使銅線的表面適合的許多技術(shù)。優(yōu)選技術(shù)是冷軋成型、研磨和電化學(xué)研磨。
[0056] 已知用以對(duì)導(dǎo)線前體進(jìn)行成形的許多技術(shù)。優(yōu)選技術(shù)是滾軋、旋鍛、模拉等,其中 模拉是特別優(yōu)選的。更優(yōu)選地,在3至20個(gè)步驟中對(duì)導(dǎo)線前體進(jìn)行拉伸,其中,在每個(gè)步驟 中,執(zhí)行在長度方面從6至18%的導(dǎo)線前體的延長。可以采用增滑劑。適當(dāng)?shù)脑龌瑒┯性S 多且是技術(shù)人員已知的。
[0057] 在本領(lǐng)域中已知用以對(duì)導(dǎo)線進(jìn)行退火的許多程序,例如可以在連續(xù)或在不連續(xù)過 程兩者中執(zhí)行導(dǎo)線的退火。在特殊應(yīng)用中,甚至可將連續(xù)和不連續(xù)過程相組合。
[0058] 根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選方面,通過將導(dǎo)線前體加熱至在從140至400°C、優(yōu)選地從160 至350°C或從200至300°C或從220至280°C范圍內(nèi)的溫度來執(zhí)行退火,并且保持該溫度達(dá) 30分鐘至5小時(shí),優(yōu)選地從30分鐘至3小時(shí)。然后,將通過使導(dǎo)線前體退火而獲得的導(dǎo)線 冷卻至室溫??梢砸愿鞣N方式來執(zhí)行該冷卻。一個(gè)適當(dāng)?shù)姆绞绞窃陔x開加熱區(qū)時(shí)在環(huán)境溫 度下將導(dǎo)線暴露于周圍空氣。根據(jù)上述程序的導(dǎo)線到室溫(T = 20°C)的冷卻通常可以在 24小時(shí)內(nèi)實(shí)現(xiàn)。應(yīng)例如通過浸入冷水中等避免導(dǎo)線的淬火。因此,另一方面是一種其中不 通過導(dǎo)線的淬火來執(zhí)行導(dǎo)線在離開加熱區(qū)時(shí)的冷卻的工藝。
[0059] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,在連續(xù)過程中、更優(yōu)選地在管式爐中執(zhí)行退火。甚至更優(yōu) 選地,由單拉伸機(jī)從提供導(dǎo)線前體及成形和退火的步驟來拉伸導(dǎo)線。
[0060] 管式爐中的退火期間的拉伸速度取決于管式爐的管的長度。管越長,更高的拉伸 速度越是可行,以便獲得能量到一塊導(dǎo)線的一定暴露。管式爐的管的優(yōu)選長度在從0. 8至 2. 5米或從1至2米或從1. 5至2. 5米范圍內(nèi)。
[0061] 可將爐的管中的溫度調(diào)整到拉伸速度或者獨(dú)立地進(jìn)行評(píng)估。管中的優(yōu)選溫度在從 150至600°C或從200至600°C或從250至550°C范圍內(nèi)。一般地,將溫度選擇成低于在其 處存在于導(dǎo)線中的組分中的至少一個(gè)或至少兩個(gè)組分的混合物液化的溫度。例如,如果對(duì) 部分可溶或不可溶的雙或多組分合金進(jìn)行退火,則烘箱中的溫度不應(yīng)超過合金的低共熔溫 度。
[0062] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,將爐中的溫度選擇成比在該其處導(dǎo)線的組分中的至少一 個(gè)或至少兩個(gè)組分的混合物液化的溫度低至少30°C或50°C或80°C。
[0063] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,在從1至20米/分或從1至16米/分或從2至18米/ 分范圍內(nèi)選擇退火速度。
[0064] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,可在惰性氣氛或還原氣氛中執(zhí)行管式爐中的退火。這適 用于連續(xù)以及不連續(xù)處理兩者中的退火。許多惰性氣氛以及還原氣氛在本領(lǐng)域中是已知 的。關(guān)于已知的惰性氣氛,氮?dú)馐莾?yōu)選的。關(guān)于已知的還原氣氛,氫氣是優(yōu)選地。此外,優(yōu) 選還原氣氛是氮?dú)夂蜌錃獾幕旌衔?。?yōu)選地,氮?dú)夂蜌錃獾幕旌衔锸莾?yōu)選地,其在從90至 98 % - Vol.氮?dú)夂蛷?0至2 Vol - %氫氣范圍內(nèi),每個(gè)參考混合物的總體積。氮?dú)?氫 氣的優(yōu)選混合物等于93/7、95/5和97/3 Vol-%/Vol-%,每個(gè)基于混合物的總體積。如果導(dǎo) 線的表面的某些部分對(duì)被空氣中的氧所氧化敏感,例如如果導(dǎo)線的銅被暴露于其表面,則 在退火中施加還原氣氛是特別優(yōu)選的。
[0065] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,在退火期間形成中間層。
[0066] 本發(fā)明的另一方面是通過上文定義的工藝可獲得的導(dǎo)線。
[0067] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,導(dǎo)線的特征在于以下特征中的至少一個(gè): a. 耗散功對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線而言是由純A1制成的參考導(dǎo)線的耗散功的至少2倍 商; b. 單軸循環(huán)測(cè)試中的最大應(yīng)變對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線而言是由純A1制成的參考導(dǎo) 線的最大應(yīng)變的至少2倍高; c. 功率循環(huán)測(cè)試對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線而言是對(duì)于由純A1制成的參考導(dǎo)線的至少3 倍高; d. 根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線的導(dǎo)線結(jié)合剪切力對(duì)于該導(dǎo)線而言與對(duì)于由純A1制成的參考 導(dǎo)線一樣高; e. 根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線的導(dǎo)線拉力對(duì)于該導(dǎo)線而言比對(duì)于由純A1制成的參考導(dǎo)線高 至少10%、優(yōu)選地至少20%。 f. 根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線的電導(dǎo)率比由純A1制成的參考導(dǎo)線的電導(dǎo)率高出在從20 %至 55 %范圍內(nèi)。
[0068] 上述由純A1制成的參考導(dǎo)線是由散布50 ppm鎳的99. 999 %純度的鋁制成的鋁 線(由Heraeus/德國以"AL-H11 CR"之名出售),并且其具有與本發(fā)明的導(dǎo)線相同的截面面 積。
[0069] 本發(fā)明的另一方面是一種包括兩個(gè)元件和至少如上文定義的導(dǎo)線或如上所述地 制造的導(dǎo)線的電設(shè)備。
[0070] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,該電設(shè)備中的至少一個(gè)導(dǎo)線通過楔結(jié)合、優(yōu)選地通過超 聲楔楔結(jié)合而被連接到電設(shè)備的另一元件。
[0071] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,元件中的至少一個(gè)選自由基板、IGBT (S卩:絕緣柵雙極晶 體管)、集成電路、晶體管、諸如發(fā)光二極管、光電二極管之類的二極管組成的組。
[0072] 本發(fā)明的另一方面是上述導(dǎo)線或根據(jù)如上所述的工藝制造的導(dǎo)線在控制單元與 受控設(shè)備之間的楔楔結(jié)合互連中的使用。
[0073] 本發(fā)明的另一方面是推進(jìn)設(shè)備、優(yōu)選地推進(jìn)交通工具、太陽電池或風(fēng)力渦輪機(jī),該 推進(jìn)設(shè)備包括至少一個(gè)如上所述的電設(shè)備。
[0074] 本發(fā)明的另一方面是一種用于制作電設(shè)備的工藝,包括步驟 a. 提供至少兩個(gè)元件; b. 通過如上所述的導(dǎo)線將兩個(gè)元件連接,其中,所述連接中的至少一個(gè)是通過楔結(jié)合 執(zhí)行的。
[0075] 楔結(jié)合技術(shù)在本領(lǐng)域中是已知的且在文獻(xiàn)中被廣泛地描述,例如在Shankara K. Prasad 的 Kluwer Academic Publishers, 2004, ISBN 1-4020-7762-9 中的"Advanced Wirebond Interconnection Technology"中,特別是第I章(介紹)和第IV章(工藝技術(shù))。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0076] 在圖中舉例說明了本發(fā)明的主題。然而,圖形并不意圖以任何方式限制本發(fā)明或 權(quán)利要求的范圍。
[0077] 在圖1中,描述了導(dǎo)線1。
[0078] 圖2示出了導(dǎo)線1的截面圖。在截面圖中,銅線2在截面圖中間。銅芯2被涂層3 包圍。銅芯的表面15位于銅線2的界限上。在通過導(dǎo)線1的中心23的線L上,銅芯2的 直徑被示為線L與表面15的交叉點(diǎn)之間的端至端距離。導(dǎo)線1的直徑是通過中心23的線 L和導(dǎo)線1的外界的交叉點(diǎn)之間的端到端距離。此外,描述了涂層3的厚度。
[0079] 在圖3中,描述了具有銅芯2、中間層7和涂層3的導(dǎo)線1。除針對(duì)圖2所述的項(xiàng) 目之外,示出了中間層7的厚度。
[0080] 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的工藝。
[0081] 圖5描述了包括兩個(gè)元件11和導(dǎo)線1的電設(shè)備。導(dǎo)線1將兩個(gè)元件11電連接。
[0082] 圖6描述了另一電設(shè)備10。四個(gè)元件11被三個(gè)導(dǎo)線1電連接。
[0083] 圖7描述了推進(jìn)設(shè)備16,在這種情況下為汽車,其包括電設(shè)備10。
[0084] 在圖8中,示出了一塊根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線的截面圖。
[0085] 在圖9中,示出了通過一塊根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線的縱向切口。
[0086] 圖10描述了導(dǎo)線1的放大。自下至上地示出了在銅芯的兩個(gè)表面15之間的銅芯 2的剖面,后面是中間層7。在中間層7的頂部上的是涂層3。鄰近于涂層3的在頂部上的 黑色區(qū)域是背景且不是示例的一部分。
[0087] 圖11描述了應(yīng)變單軸循環(huán)測(cè)試的例證圖表。在X軸上,用%示出延長度。在y軸 上,示出了應(yīng)力[MPa]。由實(shí)驗(yàn)所得到的曲線是historesis環(huán)(loop)。用A標(biāo)記的曲線是 由根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線記錄的,曲線B是用由純鋁制成的參考導(dǎo)線記錄的。如在測(cè)試方法中 所述地確定Δ 8£)1和Ar。
[0088] 圖12和圖13示出了如針對(duì)圖11所述的多次測(cè)量,收集用于圖12中的圖表中的 耗散功和用于圖13中的塑性應(yīng)變的結(jié)果。用圓點(diǎn)標(biāo)記的值是用根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線記錄的, 用矩形點(diǎn)標(biāo)記的值是用由純鋁制成的參考導(dǎo)線記錄的。
[0089] 圖14示出了收集功率循環(huán)測(cè)試的結(jié)果的圖表。在X軸上,示出了作為在循環(huán)開始 時(shí)和在循環(huán)停止時(shí)的溫度之間的差的ΛΤ。在 7軸上示出了直至失敗為止的循環(huán)數(shù)目。在 此圖表中,示出了用于純鋁的樣本的曲線(通過明亮矩形點(diǎn)的曲線擬合)。此外,示出了對(duì)于 根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線的曲線(通過暗矩形點(diǎn)的曲線擬合)。根據(jù)圖表,到失敗的循環(huán)數(shù)目對(duì)于 本發(fā)明的導(dǎo)線而言是對(duì)于純鋁的參考的至少三倍高。
[0090] 圖15示出了導(dǎo)線拉力測(cè)試的草圖。在結(jié)合21中以45°的角19將導(dǎo)線1結(jié)合到 基板20。拉鉤17牽拉導(dǎo)線1。在拉鉤17牽拉導(dǎo)線1時(shí)形成的角32是90°C。
[0091] 測(cè)試方法 所有測(cè)試和測(cè)量是在T = 20°C和50 %的相對(duì)濕度下進(jìn)行的。
[0092] 電導(dǎo)率 測(cè)試樣品(即長度為1. 〇 m的導(dǎo)線)的兩端被連接到提供I = 10 mA的恒定電流的功率 源。用測(cè)量電壓的設(shè)備來記錄電壓。用至少4個(gè)測(cè)試樣品來重復(fù)此布置(set-up)。將四個(gè) 測(cè)量結(jié)果的算術(shù)平均用于下面給出的計(jì)算。
[0093] 根據(jù)R = U/I來計(jì)算電阻R。
[0094] 根據(jù)P = (RXA) / 1來計(jì)算比電阻P,其中,A是導(dǎo)線的平均截面面積且1是用 于測(cè)量電壓的設(shè)備的兩個(gè)測(cè)量點(diǎn)之間的導(dǎo)線的長度。
[0095] 根據(jù)〇 = 1 / p來計(jì)算比電導(dǎo)率σ。
[0096] 層厚度 為了確定涂層的厚度、中間層的厚度和芯的直徑,垂直于導(dǎo)線的最大延長來切割導(dǎo)線。 仔細(xì)地研磨切口并進(jìn)行拋光以避免軟材料(例如Α1)的涂抹。通過光學(xué)顯微鏡或掃描電子 顯微鏡(SEM)來記錄圖片,其中,將放大選擇成使得示出導(dǎo)線的整個(gè)截面。
[0097] 重復(fù)此程序至少15次。將所有值提供為至少15次測(cè)量結(jié)果的算術(shù)平均。
[0098] 楔-楔結(jié)合一參數(shù)定義 在20°C下執(zhí)行導(dǎo)線到用AlSil (從Heraeus/德國可獲得)鍍敷的CuSn6制成的基板的 結(jié)合,其中,將該結(jié)合應(yīng)用于AlSil表面。在以導(dǎo)線與基板之間的45°角形成第一楔結(jié)合之 后,用導(dǎo)線的第二端將其楔入到基板。導(dǎo)線的兩端之間的結(jié)合的距離在從5至20 mm范圍 內(nèi)。此距離被選擇成以便確保導(dǎo)線與基板之間的45°的角。在楔結(jié)合期間,將在60 -120 kHz范圍內(nèi)的頻率的超聲應(yīng)用于結(jié)合工具達(dá)40至500毫秒。
[0099] 然后,如上所述地將由鋁AL-H11 CR制成的標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)線的參考樣本楔結(jié)合。通過確 定基板上的導(dǎo)線的接觸面積(A。Mf)來評(píng)估結(jié)合導(dǎo)線的變形程度。
[0100] 關(guān)于使用根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線制成的要測(cè)試樣本,楔結(jié)合參數(shù)(即外加力、頻率和暴 露到超聲的時(shí)間)必須適于在基板上實(shí)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線的接觸面積(A。inv),其中,A。 等于A。inv。關(guān)于具有包含鋁的涂層的銅線,必須增加施加的能量,即必須增加如下參數(shù)中的 一個(gè):外加力、超聲頻率和暴露到超聲的時(shí)間。
[0101] 導(dǎo)線拉力 在 XYZTEC Condor 150 機(jī)器上根據(jù) MIL-STD-883G 方法 2011. 7 (1989)、條件 D 來進(jìn)行 導(dǎo)線拉力測(cè)試。以45°角將導(dǎo)線結(jié)合到用AlSil (從Heraeus/德國可獲得)鍍敷的CuSn6 制成的鋁基板上,其中,將該結(jié)合應(yīng)用于AlSil表面。導(dǎo)線的兩端之間的結(jié)合的距離在從5 至20 mm范圍內(nèi)。此距離被選擇成以便確保導(dǎo)線與基板之間的45°的角。以2500Mm/s的 牽拉速度在環(huán)的中間牽拉環(huán)。拉鉤的直徑是導(dǎo)線直徑的至少兩倍。
[0102] 導(dǎo)線結(jié)合剪切力測(cè)試 在 XYZTEC Condor 150 機(jī)器上根據(jù) AEC-Q101-103 Rev-A (07. 2005)來進(jìn)行導(dǎo)線結(jié)合 剪切力測(cè)試。以45°角將導(dǎo)線結(jié)合到用AlSil (從Heraeus/德國可獲得)鍍敷的CuSn6制 成的鋁基板,其中,將該結(jié)合應(yīng)用于AlSil表面。然后,以50 Mffl/s的速度將剪切工具下降 至基板以限定零高度。接下來,將剪切工具從基板縮回至結(jié)合導(dǎo)線的直徑的10%的距離。 然后,以250 Mffl/s的速率進(jìn)行剪切。還記錄結(jié)合剪切失敗模式:(1)結(jié)合提升;(2)結(jié)合剪 切;(3)磨頂槽;(4)結(jié)合表面提升(結(jié)合表面與其底層基板分離)。
[0103] 應(yīng)變和耗散功一單軸循環(huán)測(cè)試 筆直導(dǎo)線的樣本被夾在機(jī)器中以施加機(jī)械應(yīng)變(張緊和壓縮)。被暴露于機(jī)械測(cè)試的導(dǎo) 線的長度是1.0 _。以1%/s的應(yīng)變率執(zhí)行樣本的循環(huán)直至樣本失敗(導(dǎo)線破損)。機(jī)器記 錄由樣本傳輸?shù)牧Αa槍?duì)直至失敗為止的循環(huán)數(shù)目(N)對(duì)塑性應(yīng)變振幅(Λ ε Pl)和耗散功 (Λr)每個(gè)進(jìn)行繪圖。
[0104] Λ ££)1被定義為hysteresis環(huán)的增加和減小分支的零應(yīng)力處的應(yīng)變差。
[0105] Δ r被定義為一個(gè)hysteresis環(huán)的積分。
[0106] 功率循環(huán)測(cè)試 通過使用要測(cè)試導(dǎo)線將二極管EMC0N 4高功率芯片(從德國慕尼黑INFINEON技術(shù)公司 可獲得)楔結(jié)合到底板來產(chǎn)生樣本。如上所述,以適當(dāng)?shù)姆绞絹磉x擇楔結(jié)合參數(shù),確保所有 被結(jié)合導(dǎo)線在導(dǎo)線與底板之間示出相同的接觸面積(A。 Mf)。關(guān)于商售底板,選擇在測(cè)試期 間將保持管芯被附著(二極管)的底板。使用相同的底板來準(zhǔn)備所有樣本。
[0107] 在由美國AZ85281的坦佩的Integrated Technology公司供應(yīng)的ITC5230上進(jìn)行 功率循環(huán)測(cè)試。為了進(jìn)行測(cè)試,將樣本安裝在冷卻墊上,通過該冷卻墊,在冷卻墊的進(jìn)口處 使用具有溫度20°C的流體以恒定流速率將樣本永久地冷卻。為了確保定義的熱傳遞被樣本 耗散,在樣本與冷卻墊之間布置熱傳導(dǎo)膜。使ITC5230的電極接觸二極管和底板。
[0108] 結(jié)合之后的電缺陷 針對(duì)電缺陷評(píng)估根據(jù)上述楔-楔結(jié)合程序在相同條件下完成的一組150個(gè)樣本。樣 本中的每個(gè)具有9個(gè)結(jié)合,其總計(jì)達(dá)1350個(gè)結(jié)合。取決于缺陷的數(shù)目,在表2中用++、+、 0、-或一來標(biāo)記每個(gè)組。 ++ = 0 + = < 2 % 0 = 2 - 5 % -=5-10 % -=> 10 %〇
[0109]在功率循環(huán)測(cè)試之前,評(píng)估預(yù)置電壓α)和時(shí)間下的電流量(u,這是實(shí)現(xiàn)樣本 從40°C的起始溫度到175°C的溫度的增加所必需的。此時(shí)間是循環(huán)的接通時(shí)間。在其之 后,在不向樣本施加電流的同時(shí)評(píng)估樣本從175°C冷卻至40°C的冷卻時(shí)間。此時(shí)間是關(guān)斷 時(shí)間。一個(gè)接通時(shí)間、后面是一個(gè)關(guān)斷時(shí)間的序列定義一個(gè)功率循環(huán)。
[0110] 然后,通過連續(xù)地施加上述功率循環(huán)來執(zhí)行功率循環(huán)測(cè)試。在預(yù)置電流1〇下,記 錄在功率循環(huán)的接通時(shí)間期間的電壓(vt)。當(dāng)接通時(shí)間段期間的電壓vt超過電壓丨時(shí),功 率循環(huán)測(cè)試結(jié)束。Vf = (V。+ 10 %)。
[0111] 示例 由示例來進(jìn)一步舉例說明本發(fā)明。這些示例用于本發(fā)明的示例性闡明且并不意圖以任 何方式限制本發(fā)明或權(quán)利要求的范圍。
[0112] 不例 1 -15 使用22個(gè)拉伸模來將具有115Mm厚度的鋁涂層和770Mm銅芯直徑的總直徑1mm導(dǎo)線 的導(dǎo)線延長,每個(gè)提供12%的延長度以獲得在示例2、表1中詳述的導(dǎo)線直徑的導(dǎo)線。然后, 將延長的導(dǎo)線放在輥?zhàn)由喜⒃诒?中詳述的退火溫度T下在烘箱中退火達(dá)1小時(shí)。在退火 之后,在24小時(shí)內(nèi)將導(dǎo)線冷卻至環(huán)境溫度。下面在表1中收集了這些導(dǎo)線的性質(zhì)和導(dǎo)線處 理的處理參數(shù),在表2中收集了實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。使用具有如表1中所示的Cu直徑和總導(dǎo)線直徑 的導(dǎo)線來準(zhǔn)備示例1、3-15。

【權(quán)利要求】
1. 一種導(dǎo)線(1),包括: a. 具有表面(15)的銅芯(2);以及 b. 涂層(3),疊加在銅芯(2)的表面(15)上, 其中,涂層(3)包括鋁, 其中,涂層(3)的厚度與銅芯(2)的直徑的比在從0.05至0.2范圍內(nèi), 其中,銅芯(2)的直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差與銅芯(2)的直徑的比在從0. 005至0. 05的范圍內(nèi), 以及 其中,涂層(3)的厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差與涂層(3)的厚度的比在從0. 05至0. 4范圍內(nèi), 其中,所述導(dǎo)線具有在從lOOMm至600Mm范圍內(nèi)的直徑。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)合(1)導(dǎo)線,其中,中間層(7)被布置在銅芯(2)與涂層(3) 之間,其中,中間層(7)包括至少一個(gè)金屬間相,其包括芯的材料和涂層的材料。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)線(1 ),其中,中間層(7)具有在從0. 1至5Mm范圍內(nèi)的厚 度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)線(1),其中,導(dǎo)線(1)的芯(2)的直徑在 從70至500 Mm范圍內(nèi),在導(dǎo)線(1)的截面圖中確定。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的導(dǎo)線(1 ),其中,涂層(3)的厚度在從10至60Mffl范圍內(nèi), 在導(dǎo)線(1)的截面圖中確定。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)線(1),其中,基于銅芯的總重量,所述銅 芯包括按重量計(jì)至少95 %的至少99. 9%純度的銅。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)線(1),其中,基于涂層的總重量,所述涂 層包括按重量計(jì)至少80 %的99. 9%純度的鋁。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)線(1 ),其中,耗散功對(duì)于導(dǎo)線(1)而言是 由純A1制成的參考導(dǎo)線的耗散功的至少2倍高。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)線(1),其中,單軸循環(huán)測(cè)試中的最大應(yīng)變 對(duì)于導(dǎo)線(1)而言是由純A1制成的參考導(dǎo)線的最大應(yīng)變的至少1.5倍高。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)線(1 ),其中,功率循環(huán)測(cè)試對(duì)于導(dǎo)線(1) 而言是對(duì)于由純A1制成的參考導(dǎo)線的至少3倍高。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)線(1),其中,導(dǎo)線(1)的導(dǎo)線拉力對(duì)于 導(dǎo)線(1)而言比對(duì)于由純A1制成的參考導(dǎo)線高至少10%。
12. -種用于制造導(dǎo)線(1)的工藝,至少包括以下步驟: a. 提供導(dǎo)線前體(9),其包括具有表面(15)的銅芯(2)和涂層(3),該涂層(3)被疊加 在銅芯(2)的表面(15)上,其中,涂層(3)包括鋁, 其中,涂層(3)的厚度與銅芯(2)的直徑的比在從0.05至0.2的范圍內(nèi), 其中,銅芯(2)的直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差與銅芯(2)的直徑的比在從0. 005至0. 05的范圍內(nèi), 以及 其中,涂層(3)的厚度的標(biāo)準(zhǔn)偏差與涂層(3)的厚度的比在從0. 05至0. 4的范圍內(nèi), 其中,所述導(dǎo)線前體(9)具有在從0. 5至5mm范圍內(nèi)的直徑, b. 對(duì)導(dǎo)線前體(9)進(jìn)行成形, c. 對(duì)導(dǎo)線前體(9)進(jìn)行退火, 由此,獲得導(dǎo)線(1 ),其中,導(dǎo)線(1)具有在從lOOMm至600Mm范圍內(nèi)的直徑。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的工藝,其中,在步驟c中形成中間層(7)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的工藝,其中,在從140°C至400°C范圍內(nèi)的溫度下、優(yōu) 選地在從30分鐘至5小時(shí)的時(shí)段內(nèi)執(zhí)行退火。
15. -種通過根據(jù)權(quán)利要求12至14中的任一項(xiàng)所述的工藝可獲得的導(dǎo)線(1)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的導(dǎo)線(1),其中,所述導(dǎo)線(1)的特征在于以下特征中的至 少一個(gè): a. 耗散功對(duì)于導(dǎo)線(1)而言是由純A1制成的參考導(dǎo)線的耗散功的至少2倍高; b. 單軸循環(huán)測(cè)試中的最大應(yīng)變對(duì)于導(dǎo)線(1)而言是由純A1制成的參考導(dǎo)線的最大應(yīng) 變的至少2倍高; c. 功率循環(huán)測(cè)試對(duì)于導(dǎo)線(1)而言是對(duì)于由純A1制成的參考導(dǎo)線的至少3倍高; d. 導(dǎo)線(1)的導(dǎo)線拉力對(duì)于導(dǎo)線(1)而言比對(duì)于由純A1制成的參考導(dǎo)線高至少10% ; e. 導(dǎo)線(1)的電導(dǎo)率比由純A1制成的參考導(dǎo)線的電導(dǎo)率高出從20%至55%范圍內(nèi)。
17. -種包括至少兩個(gè)元件(11)和至少根據(jù)權(quán)利要求1至11或權(quán)利要求15和16中 的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)線(1)或至少根據(jù)權(quán)利要求12至14中的任一項(xiàng)所述的工藝制造的導(dǎo)線 (1)的電設(shè)備(10),其中導(dǎo)線(1)將兩個(gè)元件(11)電連接。
18. 權(quán)利要求17的電設(shè)備(10),其中,通過楔結(jié)合可獲得電連接。
19. 權(quán)利要求17或18中的任一項(xiàng)所述的電設(shè)備(10),其中,元件(11)中的至少一個(gè)選 自由基板、集成電路、IGBT、晶體管、諸如發(fā)光二極管或光電二極管之類的二極管組成的組。
20. -種包括至少一個(gè)根據(jù)權(quán)利要求17至19中的任一項(xiàng)所述的電設(shè)備(10)的推進(jìn)設(shè) 備(12)。
21. -種來自制作電設(shè)備(10)的工藝,包括如下步驟: a. 提供至少兩個(gè)元件(10); b. 通過根據(jù)權(quán)利要求1至11或權(quán)利要求15和16中的任一項(xiàng)的導(dǎo)線(1)或至少根據(jù) 根據(jù)權(quán)利要求12至14中的任一項(xiàng)所述的工藝制造的導(dǎo)線(1)來連接兩個(gè)元件(10),其中, 通過楔結(jié)合來執(zhí)行所述連接中的至少一個(gè)。
【文檔編號(hào)】H01B1/02GK104272455SQ201380023792
【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2013年5月7日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月7日
【發(fā)明者】E.米爾克, P.普雷諾西爾, S.托馬斯 申請(qǐng)人:賀利氏材料工藝有限責(zé)任兩合公司
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