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一種基于紅外網(wǎng)柵的紅外/射頻輻射頻率選擇裝置的制造方法

文檔序號:10490822閱讀:632來源:國知局
一種基于紅外網(wǎng)柵的紅外/射頻輻射頻率選擇裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種基于紅外網(wǎng)柵的紅外/射頻輻射頻率選擇裝置,該裝置包括,基底、網(wǎng)柵薄膜和紅外增透膜;所述基底,由硫化鋅制備而成,用于透射紅外,反射射頻;所述網(wǎng)柵薄膜,覆蓋在基底的一側(cè)表面,包括由金制備而成的金屬線以及由金屬線交錯垂直排列形成的網(wǎng)孔;所述金屬線,用于反射射頻;所述金屬線形成的網(wǎng)孔,用于透射紅外;紅外增透膜用于增強紅外輻射的透射。本發(fā)明所述技術(shù)方案,能夠增強紅外透射率和射頻反射率,避免出現(xiàn)衍射現(xiàn)象,保證成像質(zhì)量。
【專利說明】
一種基于紅外網(wǎng)柵的紅外/射頻輻射頻率選擇裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種紅外/射頻輻射頻率選擇裝置,尤其是涉及一種基于紅外網(wǎng)柵的紅外/射頻輻射頻率選擇裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在紅外/射頻復合仿真中,紅外輻射和射頻輻射要從不同方向同時進入紅外/射頻復合傳感器中,紅外/射頻輻射頻率選擇裝置要求既對紅外頻率的輻射具有透射功能,同時又具有對射頻頻率的輻射具有反射功能。但現(xiàn)有技術(shù)中的頻率選擇裝置采用的是金屬材料作為基底,并通過機械加工的方式制造而成,受到機械加工精度的限制,裝置精度難以提高,紅外在輻射時容易發(fā)生衍射的現(xiàn)象,以及在對紅外進行透射時,射頻也會發(fā)生透射的現(xiàn)象導致射率過低,影響成像質(zhì)量。
[0003]因此,需要提供一種基于紅外網(wǎng)柵的紅外/射頻輻射頻率選擇裝置,能夠增強紅外率和射頻反射率并提高裝置精度,避免出現(xiàn)衍射現(xiàn)象,保證成像質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種基于紅外網(wǎng)柵的紅外/射頻輻射頻率選擇裝置,解決以往機械加工精度不高而導致紅外出現(xiàn)衍射和射頻出現(xiàn)透射的問題。
[0005]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用下述技術(shù)方案。
[0006]—種基于紅外網(wǎng)柵的紅外/射頻輻射頻率選擇裝置,所述該裝置包括
[0007]具有透射紅外輻射功能的基底;
[0008]形成在基底一側(cè)的用于反射射頻輻射的網(wǎng)柵金屬薄膜,包括用于透射紅外輻射的網(wǎng)孔陣列。
[0009]優(yōu)選的,所述網(wǎng)柵薄膜采用光刻方式腐蝕方法形成。
[0010]優(yōu)選的,所述網(wǎng)柵金屬薄膜網(wǎng)孔陣列的線寬為0.5mm?1mm,且所述網(wǎng)孔陣列的線間距為4mm?.Smnin
[0011]優(yōu)選的,所述基底由硫化鋅制成。
[0012]優(yōu)選的,所述裝置進一步包括形成在所述基底與所述網(wǎng)柵金屬薄膜相對一側(cè)的第一紅外增透膜。
[0013]優(yōu)選的,所述裝置進一步包括
[0014]形成在所述基底和所述網(wǎng)柵金屬薄膜之間的第二紅外增透膜。
[0015]優(yōu)選的,所述紅外增透膜由氟化物材料制成。
[0016]優(yōu)選的,所述紅外增透膜由氟化物材料制成。
[0017]優(yōu)選的,所述網(wǎng)柵金屬薄膜金屬線的寬度為0.5mm?1_。
[0018]優(yōu)選的,所述網(wǎng)柵金屬薄膜金屬線之間的距離為4mm?5mm。
[0019]本發(fā)明的有益效果如下:
[0020]本發(fā)明所述技術(shù)方案,能夠增強紅外率和射頻反射率,避免出現(xiàn)衍射現(xiàn)象,保證成像質(zhì)量。
【附圖說明】
[0021]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細的說明:
[0022]圖1示出本發(fā)明實施例1中一種基于紅外網(wǎng)柵的紅外/射頻輻射頻率選擇裝置結(jié)構(gòu)示意圖;
[0023]圖2示出本發(fā)明實施例2中基于紅外網(wǎng)柵的紅外/射頻輻射頻率選擇裝置結(jié)構(gòu)示意圖;
[0024]圖3示出本發(fā)明實施例2中基于紅外網(wǎng)柵的紅外/射頻輻射頻率選擇裝置結(jié)構(gòu)示意圖;
[0025]圖4示出本發(fā)明實施例3中基于紅外網(wǎng)柵的紅外/射頻輻射頻率選擇裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0026]為了更清楚地說明本發(fā)明,下面結(jié)合優(yōu)選實施例和附圖對本發(fā)明做進一步的說明。附圖中相似的部件以相同的附圖標記進行表示。本領(lǐng)域技術(shù)人員應當理解,下面所具體描述的內(nèi)容是說明性的而非限制性的,不應以此限制本發(fā)明的保護范圍。
[0027]實施例1:
[0028]如圖1所示,本發(fā)明公開了一種基于紅外網(wǎng)柵的紅外/射頻輻射頻率選擇裝置,該裝置包括紅外基底1、網(wǎng)柵金屬薄膜2。
[0029]紅外基底1,例如由硫化鋅制備而成,用于透射紅外,并優(yōu)選用于反射射頻。在紅外基底I的一側(cè)表面形成有采用光刻方式刻蝕而成的網(wǎng)柵金屬薄膜2,作為反射面,用于反射射頻射線。如圖2所示,該網(wǎng)柵金屬薄膜2包括由金制備而成的金屬布線以及由金屬布線交錯排列形成的網(wǎng)孔陳列。金屬布線用于反射射頻輻射,由金屬布線形成的網(wǎng)孔陳列用于透射紅外福射。該金屬線的寬度例如為0.5mm?1mm,金屬線之間的距離為4mm?5mm。紅外基底I與網(wǎng)柵金屬薄膜2相對的另一側(cè)表面,作為透射面,用于透射紅外輻射。
[0030]當紅外輻射3從該裝置透射面一側(cè)入射時,紅外輻射3會發(fā)生透射現(xiàn)象;當射頻輻射4從該裝置反射面一側(cè)入射時,射頻輻射4發(fā)生反射現(xiàn)象。根據(jù)實施例1得到的頻率選擇裝置的紅外光透射率為60 %?70 %,射頻輻射反射率大于70 %。
[0031]實施例2:
[0032]如圖3所示,本發(fā)明公開了一種基于實施例1的紅外網(wǎng)柵的紅外/射頻輻射頻率選擇裝置,該裝置包括紅外基底1、網(wǎng)柵金屬薄膜2、紅外增透膜3。
[0033]基底I的材料為硫化鋅,厚度為直徑的1/10。網(wǎng)膜2包括由金制備而成的金屬布線以及由金屬布線交錯排列形成的網(wǎng)孔陳列。金屬布線用于反射射頻輻射,由金屬布線形成的網(wǎng)孔陳列用于透射紅外福射。該金屬線的寬度例如為0.5mm?1mm,金屬線之間的距離為4mm?5mm。紅外增透膜3形成在基底I和網(wǎng)膜2相對的另一側(cè)表面,作為透射面,材料為氟化物,其厚度彡2 μ m,用于增強紅外光線透射率。由于網(wǎng)膜2網(wǎng)孔的孔徑為4.0mmX 5.0mm,遠遠大于紅外波長,避免了紅外輻射光線透射時出現(xiàn)衍射現(xiàn)象。
[0034]當紅外輻射4從該裝置透射面一側(cè)入射時,紅外輻射4會發(fā)生透射現(xiàn)象;當射頻輻射5從該裝置反射面一側(cè)入射時,射頻輻射5發(fā)生反射現(xiàn)象。根據(jù)該實施例2得到的頻率選擇裝置的紅外光透射率為70 %?80 %,射頻輻射反射率大于70 %。
[0035]實施例3:
[0036]如圖4所示,本發(fā)明還公開了一種基于實施例2的紅外網(wǎng)柵的紅外/射頻輻射頻率選擇裝置,該裝置包括紅外基底1、網(wǎng)柵金屬薄膜2、紅外增透膜3、紅外增透膜4。
[0037]紅外增透膜4形成在紅外基底I與網(wǎng)柵金屬薄膜2之間,由氟化物制成,其厚度多 2 μ m0
[0038]當紅外輻射4從該裝置透射面一側(cè)入射時,紅外輻射4會發(fā)生透射現(xiàn)象;當射頻輻射5從該裝置反射面一側(cè)入射時,射頻輻射5發(fā)生反射現(xiàn)象。根據(jù)該實施例得到的頻率選擇裝置的紅外光透射率大于90 %,射頻輻射反射率大于70 %。
[0039]綜上所述,本發(fā)明所述技術(shù)方案,采用紅外材料為作為基底,光刻方式刻蝕而成的網(wǎng)柵薄膜,能夠增強紅外率和射頻反射率并提高裝置精度,避免出現(xiàn)衍射現(xiàn)象,保證了成像質(zhì)量。
[0040]顯然,本發(fā)明的上述實施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例,而并非是對本發(fā)明的實施方式的限定,對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動,這里無法對所有的實施方式予以窮舉,凡是屬于本發(fā)明的技術(shù)方案所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明的保護范圍之列。
【主權(quán)項】
1.一種基于紅外網(wǎng)柵的紅外/射頻輻射頻率選擇裝置,其特征在于,所述該裝置包括 具有透射紅外輻射功能的基底; 形成在基底一側(cè)的用于反射射頻輻射的網(wǎng)柵金屬薄膜,包括用于透射紅外輻射的網(wǎng)孔陣列。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頻率選擇裝置,其特征在于,所述網(wǎng)柵薄膜采用光刻方式腐蝕方法形成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頻率選擇裝置,其特征在于,所述網(wǎng)柵金屬薄膜網(wǎng)孔陣列的線寬為0.5mm?1mm,且所述網(wǎng)孔陣列的線間距為4mm?5mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述基底由硫化鋅制成。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇裝置,其特征在于,所述裝置進一步包括形成在所述基底與所述網(wǎng)柵金屬薄膜相對一側(cè)的第一紅外增透膜。6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的選擇裝置,其特征在于,所述裝置進一步包括 形成在所述基底和所述網(wǎng)柵金屬薄膜之間的第二紅外增透膜。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的選擇裝置,其特征在于,所述紅外增透膜由氟化物制成。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的選擇裝置,其特征在于,所述紅外增透膜由氟化物制成。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頻率選擇裝置,其特征在于,所述網(wǎng)柵金屬薄膜金屬線的寬度為 0.5mm ?Imnin10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頻率選擇裝置,其特征在于,所述網(wǎng)柵金屬薄膜金屬線之間的距離為4mm?5_。
【文檔編號】H01L31/101GK105845772SQ201510016286
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年1月13日
【發(fā)明人】張盈, 虞紅, 高陽, 趙宏鳴, 馬靜, 劉天舒
【申請人】北京仿真中心
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