技術(shù)編號:10516863
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 在Z髓縮實驗研究中,電磁髓縮內(nèi)爆產(chǎn)生的高溫高密度等離子體特征狀態(tài)參數(shù)的 測量,對于深入理解和研究等離子體中的能量禪合和不穩(wěn)定性增長等物理過程是十分重要 的。Z髓縮等離子體本身是一種非常有效的強X射線源,在髓縮的滯止階段,高溫稠密等離子 體自身能在很寬的光譜范圍內(nèi)福射出大量的X光,運種X光包含了等離子體溫度、密度和電 離狀態(tài)等參量信息。對此,采用對特定能量的X射線進行單能成像,是研究Z髓縮等離子體狀 態(tài)的最重要的診斷手段之一。發(fā)明內(nèi)容 本發(fā)明的目的,就是針...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。