技術(shù)編號(hào):10536448
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在與靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)單元相關(guān)的方法中,存儲(chǔ)器單元的讀端口生成高泄漏電流。例如,在最差的制造工藝、電壓和溫度條件下,72千字節(jié)(Kbit,又稱為千比特)宏生成大約9mA的泄漏電流。發(fā)明內(nèi)容為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷,根據(jù)本發(fā)明的方面,提供了一種電路,包括第一數(shù)據(jù)線;多個(gè)第一存儲(chǔ)器單元,與所述第一數(shù)據(jù)線耦合;以及數(shù)據(jù)傳輸電路,與所述第一數(shù)據(jù)線耦合,所述數(shù)據(jù)傳輸電路包括輸出邏輯門,所述數(shù)據(jù)傳輸電路配置為在所述電路的第一工作模式中,其中,所述多個(gè)...
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