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掃描脈沖退火裝置及方法與制造工藝技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:11161478

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本發(fā)明的實施方式一般涉及制造半導體器件的方法。更具體地,本發(fā)明的實施方式針對熱處理基板。背景技術(shù)半導體器件持續(xù)縮小以符合未來性能需求。為了實現(xiàn)持續(xù)的縮小,摻雜源極和漏極接面的工程必須聚焦于非常小的晶格內(nèi)的單原子的放置及移動。例如,一些未來器件的設計方案考慮包括少于100原子的通道區(qū)域。為了這些嚴格需求,需要在幾個原子半徑內(nèi)控制摻雜原子(dopantatoms)的放置。摻雜原子的放置現(xiàn)通過在硅基板的源極及漏極區(qū)域植入摻雜物,接著退火基板的處理工藝來控制??墒褂脫诫s物以增強硅基材中的導電性、誘導對晶...
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