技術(shù)編號：39728555
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及太陽能電池，尤其涉及一種單晶硅拉晶方法、單晶爐及晶棒。背景技術(shù)、單晶硅拉晶是指將石英坩堝內(nèi)的硅塊進(jìn)行高溫熔化之后得到液體硅，再通過籽晶與液體硅熔接，使得液體硅吸附在籽晶表面并基于籽晶的晶向生長，通過拉動籽晶，籽晶不斷吸附液體硅，從而生長成為晶棒。、拉晶過程中，液體硅對坩堝內(nèi)壁的沖刷以及單晶爐內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)均會產(chǎn)生sio。部分sio傳輸?shù)揭后w硅表面，液體硅表面的sio被蒸發(fā)成氣體，被單晶爐內(nèi)的氬氣帶走；少量的sio溶解在液體硅中，以氧原子形態(tài)存在于液體硅中，最終進(jìn)入晶棒，導(dǎo)致晶棒中存在...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。