技術(shù)編號(hào)：39729103
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于二氯二氧化鉬產(chǎn)品領(lǐng)域，具體涉及一種二氯二氧化鉬產(chǎn)品的除雜方法。背景技術(shù)、二氯二氧化鉬，化學(xué)式為moocl，淡黃色結(jié)晶，升華溫度為℃，吸濕性強(qiáng)，極易水解。目前一般作為化學(xué)氣相沉積(cvd)的鉬源材料，用于沉積鉬薄膜，這些薄膜可以作為擴(kuò)散屏障、電極、互連件等器件應(yīng)用，因二氯二氧化鉬具有高保形性和可適合大批量生產(chǎn)的特性，廣泛用于存儲(chǔ)芯片、邏輯芯片、催化劑等芯片半導(dǎo)體行業(yè)。、目前，合成二氯二氧化鉬的方法主要包括氯化反應(yīng)法、升華提純法、氧鹵化合物化合法等。二氯二氧化鉬在高端芯片上的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。