技術(shù)編號(hào):39729253
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,尤其涉及半導(dǎo)體工藝設(shè)備的腔室清潔結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、在工藝腔室中已進(jìn)行沉積、蝕刻等工序步驟后,工藝腔室需要進(jìn)行清潔以移除可能已形成在腔室壁上的工藝氣體殘余物。例如,在現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積(cvd)或者等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(plasma?enhanced?chemical?vapor?deposition,pecvd)薄膜制程中,由于工藝氣體具有擴(kuò)散特性,導(dǎo)致不僅會(huì)在晶圓表面形成薄膜,也會(huì)在噴淋板的表面、反應(yīng)腔的側(cè)壁、加熱盤的底部、排氣系統(tǒng)內(nèi)部等形成沉積。、因此,在工藝結(jié)束后需...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。