技術(shù)編號：8262138
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造方法，特別是涉及一種逆導(dǎo)型(RC) IGBT背面工藝的形成方法。背景技術(shù)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor),是由雙極型三極管(BJT)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)即耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。但是在IGBT產(chǎn)品的應(yīng)用中，需要搭配并聯(lián)相應(yīng)...
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