1.一種激光刻蝕膜,其特征在于:包括依次連接的保護層(1)、金屬鍍層(2)、紋理層(3)、基材層(4)、背膠層(5),所述金屬鍍層(2)的厚度為0.01μm~1μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種激光刻蝕膜,其特征在于:所述金屬鍍層(2)為真空蒸鍍沉積成型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種激光刻蝕膜,其特征在于:所述金屬鍍層(2)的材質(zhì)為鋁或鎳或銅或不銹鋼。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種激光刻蝕膜,其特征在于:所述保護層(1)的厚度為3μm~20μm,所述保護層(1)為聚氨酯丙烯酸酯體系的uv型涂層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種激光刻蝕膜,其特征在于:所述紋理層(3)的厚度為5μm~20μm,所述紋理層(3)的紋理深度為1μm~10μm,所述紋理層(3)的紋理為金屬拉絲紋理或金屬磨砂紋理,所述紋理層(3)的材質(zhì)為含有1%~10%uv色漿的uv樹脂。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種激光刻蝕膜,其特征在于:所述基材層(4)的厚度為30μm~100μm,所述基材層(4)的材質(zhì)為pet或pc或亞克力。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種激光刻蝕膜,其特征在于:所述背膠層(5)的厚度為20μm~40μm,所述背膠層(5)的外表面設(shè)置有離型層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種激光刻蝕膜的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種激光刻蝕膜的制備方法,其特征在于:步驟s2中,真空蒸鍍沉積采用卷對卷式真空電鍍設(shè)備,步驟s3中,涂布采用微凹涂布方式。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種激光刻蝕膜的制備方法,其特征在于:步驟s1中,uv轉(zhuǎn)印速度為8m/min~10m/min,步驟s2中,真空蒸鍍沉積的鍍膜速度200m/min~300m/min。