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一種透氣電極及其制備方法與流程

文檔序號(hào):11224545閱讀:853來(lái)源:國(guó)知局

本發(fā)明涉及電極領(lǐng)域,具體涉及一種透氣電極及其制備方法。



背景技術(shù):

隨著地球上水資源的不斷被污染和水資源的不斷缺乏,消毒水處理顯得越來(lái)越重要?,F(xiàn)制次氯酸鈉消毒與其他消毒技術(shù)相比,優(yōu)勢(shì)明顯。但目前市場(chǎng)上的次氯酸鈉發(fā)生器存在電耗和鹽耗太高、電極使用壽命短等問(wèn)題,嚴(yán)重制約其大規(guī)模應(yīng)用,影響次氯酸鈉發(fā)生器性能并制約其應(yīng)用的關(guān)鍵之處在于電極材料。

專利[一種鈦陽(yáng)極的制備方法]公開(kāi)了一種鈦陽(yáng)極的制備方法,其先在鈦基體表面沉積一層惰性薄膜,然后再涂敷活性氧化物涂層。該方法雖然提高了鈦基體與涂層的粘結(jié)力,但惰性薄膜導(dǎo)電性差、抗氧滲透能力差,導(dǎo)致電極的電流效率降低、耐腐蝕性差,使得次氯酸鈉發(fā)生器的電耗和鹽耗增加,電極使用壽命短,不利于節(jié)能降耗。

專利[催化劑涂層及其使用和制備方法]公開(kāi)了一種采用電沉積法制備氯酸鈉的電極涂層,雖然電沉積法制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)單,但該專利中采用鈦板或鈦管作為承載金屬氧化物的基體,顯得比表面積小,導(dǎo)致電極電解效率低,次氯酸鈉發(fā)生器運(yùn)行成本高。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的是為了提供一種次氯酸鈉的發(fā)生效率更高的透氣電極的制備方法。

本發(fā)明的目的采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):

一種透氣電極的制備方法,包括以下步驟:

1)制多孔鈦基體:制備孔隙度為30-45%、孔徑5-20μm、厚度為0.5-2mm的多孔鈦板,作為鈦基體;

2)鈦基體的表面處理;

3)前驅(qū)體沉積:將鈦基體置于含氯化鈦、氯化釕、氯化銥的ph為1-5的乙醇水溶液中沉積;

4)電解:以鉑電極為工作電極,以甘汞電極為參比電極,以步驟3)處理后的鈦基體為陰極,進(jìn)行電解,其中,工作電極與陰極間距為15-20mm,電沉積參數(shù)為:沉積浴溫度為1-8℃,陰極電流密度為15-30ma/cm2,電沉積時(shí)間為20-60min;

5)燒結(jié):將步驟4)處理后的鈦基體置于高溫爐,升溫速率為5℃/min,升溫至450-470℃進(jìn)行燒結(jié),得到透氣電極。

作為優(yōu)選,步驟1)中,鈦基體的孔隙度為43%、孔徑為17μm、厚度為1mm。

作為優(yōu)選,步驟2)中,表面處理的具體操作如下:將鈦基體置于5-20wt%naoh溶液中震動(dòng),除去表面油污,再浸泡于15-25wt%草酸溶液中煮沸1-2h,除去表面氧化物。

作為優(yōu)選,所述naoh溶液的濃度為10wt%,草酸溶液的濃度為20wt%。

作為優(yōu)選,步驟3)中,乙醇與水的體積比為5-15:1;采用hcl調(diào)節(jié)ph。

作為優(yōu)選,步驟3)中,氯化銥的濃度為7-13mm/l,鈦釕銥的摩爾比為(5-7):(1.4-1.8):1。

作為優(yōu)選,步驟4)中,工作電極與陰極間距為17mm,電沉積參數(shù)為:沉積浴溫度為4℃,陰極電流密度為29ma/cm2,電沉積時(shí)間為46min。

作為優(yōu)選,步驟5)中,升溫速率為5℃/min,升溫至460℃燒結(jié)70min。

本發(fā)明的另一目的在于提供上述的方法制備的透氣電極。

相比現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明采用電化學(xué)沉積法在透氣多孔鈦基體沉積一層ruo2-iro2-tio2金屬氧化物,該制備方法相對(duì)于傳統(tǒng)的反復(fù)涂敷燒結(jié)的制備方法具有工藝簡(jiǎn)單,而且氧化物涂層更加致密,電極壽命更高。本發(fā)明制備的透氣電極的有效比表面積提高了數(shù)十倍,從而使電從而使得電解效率顯著提高,naclo產(chǎn)率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的電極,且鹽耗和電耗低,節(jié)能減排。

具體實(shí)施方式

下面,結(jié)合具體實(shí)施方式,對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步描述:

實(shí)施例1

一種透氣電極的制備方法,包括以下步驟:

1)制多孔鈦基體:采用真空燒結(jié)法制備孔隙度為35%、孔徑7μm、厚度為1mm的多孔鈦板,作為鈦基體;

2)鈦基體的表面處理:將鈦基體置于10wt%的naoh溶液中震動(dòng)30min,沖洗干燥后,置于20wt%的草酸溶液中煮沸2h取出后沖洗干凈待用;

3)前驅(qū)體沉積:將步驟2)處理后的鈦基體置于含氯化鈦、氯化釕、氯化銥的ph為3的乙醇水溶液中沉積;其中乙醇水溶液中,乙醇與水的體積比為25:3;氯化鈦的濃度為54mm/l、氯化釕的濃度為14mm/l、氯化銥的濃度為8mm/l;

4)電解:以鉑電極為工作電極,以甘汞電極為參比電極,以步驟3)處理后的鈦基體為陰極,進(jìn)行電解,其中,工作電極與陰極間距為17mm,電沉積參數(shù)為:沉積浴溫度為2℃,陰極電流密度為17ma/cm2,電沉積時(shí)間為23min;

5)燒結(jié):將步驟4)處理后的鈦基體置于高溫爐,升溫速率為5℃/min,升溫至460℃燒結(jié)70min,得到透氣電極。

實(shí)施例2

一種透氣電極的制備方法,包括以下步驟:

1)制多孔鈦基體:采用真空燒結(jié)法制備孔隙度為38%、孔徑11μm、厚度為1mm的多孔鈦板,作為鈦基體;

2)鈦基體的表面處理:將鈦基體置于10wt%的naoh溶液中震動(dòng)30min,沖洗干燥后,置于20wt%的草酸溶液中煮沸2h取出后沖洗干凈待用;

3)前驅(qū)體沉積:將步驟2)處理后的鈦基體置于含氯化鈦、氯化釕、氯化銥的ph為2的乙醇水溶液中沉積;其中乙醇水溶液中,乙醇與水的體積比為10:1;氯化鈦的濃度為57mm/l、氯化釕的濃度為16mm/l、氯化銥的濃度為9mm/l;

其中乙醇水溶液的配置方法如下:取110ml無(wú)水乙醇和11ml水進(jìn)行混合,加入計(jì)量的氯化鈦、氯化釕、氯化銥后采用hcl調(diào)節(jié)ph至2;

4)電解:以鉑電極為工作電極,以甘汞電極為參比電極,以步驟3)處理后的鈦基體為陰極,進(jìn)行電解,其中,工作電極與陰極間距為17mm,電沉積參數(shù)為:沉積浴溫度為3℃,陰極電流密度為22ma/cm2,電沉積時(shí)間為31min;

5)燒結(jié):將步驟4)處理后的鈦基體置于高溫爐,升溫速率為5℃/min,升溫至460℃燒結(jié)70min,得到透氣電極。

實(shí)施例3

一種透氣電極的制備方法,包括以下步驟:

1)制多孔鈦基體:采用真空燒結(jié)法制備孔隙度為40%、孔徑13μm、厚度為1mm的多孔鈦板,作為鈦基體;

2)鈦基體的表面處理:將鈦基體置于10wt%的naoh溶液中震動(dòng)30min,沖洗干燥后,置于20wt%的草酸溶液中煮沸2h,沖洗干凈,待用;

3)前驅(qū)體沉積:將步驟2)處理后的鈦基體置于含氯化鈦、氯化釕、氯化銥的ph為3的乙醇水溶液中沉積;其中乙醇水溶液中,乙醇與水的體積比為10:1;氯化鈦的濃度為64mm/l、氯化釕的濃度為18mm/l、氯化銥的濃度為11mm/l;

其中乙醇水溶液的配置方法如下:取110ml無(wú)水乙醇和11ml水進(jìn)行混合,加入計(jì)量的氯化鈦、氯化釕、氯化銥后采用hcl調(diào)節(jié)ph至3;

4)電解:以鉑電極為工作電極,以甘汞電極為參比電極,以步驟3)處理后的鈦基體為陰極,進(jìn)行電解,其中,工作電極與陰極間距為17mm,電沉積參數(shù)為:沉積浴溫度為4℃,陰極電流密度為26ma/cm2,電沉積時(shí)間為39min;

5)燒結(jié):將步驟4)處理后的鈦基體置于高溫爐,升溫速率為5℃/min,升溫至460℃燒結(jié)70min,得到透氣電極。

實(shí)施例4

一種透氣電極的制備方法,包括以下步驟:

1)制多孔鈦基體:采用真空燒結(jié)法制備孔隙度為40%、孔徑15μm、厚度為1mm的多孔鈦板,作為鈦基體;

2)鈦基體的表面處理:將鈦基體置于10wt%的naoh溶液中震動(dòng)30min,沖洗干燥后,置于20wt%的草酸溶液中煮沸2h,沖洗干凈待用;

3)前驅(qū)體沉積:將步驟2)處理后的鈦基體置于含氯化鈦、氯化釕、氯化銥的ph為3的乙醇水溶液中沉積;其中乙醇水溶液中,乙醇與水的體積比為10:1;氯化鈦的濃度為64mm/l、氯化釕的濃度為18mm/l、氯化銥的濃度為11mm/l;

其中乙醇水溶液的配置方法如下:取110ml無(wú)水乙醇和11ml水進(jìn)行混合,加入計(jì)量的氯化鈦、氯化釕、氯化銥后采用hcl調(diào)節(jié)ph至3;

4)電解:以鉑電極為工作電極,以甘汞電極為參比電極,以步驟3)處理后的鈦基體為陰極,進(jìn)行電解,其中,工作電極與陰極間距為17mm,電沉積參數(shù)為:沉積浴溫度為4℃,陰極電流密度為26ma/cm2,電沉積時(shí)間為39min;

5)燒結(jié):將步驟4)處理后的鈦基體置于高溫爐,升溫速率為5℃/min,升溫至460℃燒結(jié)70min,得到透氣電極。

實(shí)施例5

一種透氣電極的制備方法,包括以下步驟:

1)制多孔鈦基體:采用真空燒結(jié)法制備孔隙度為43%、孔徑17μm、厚度為1mm的多孔鈦板,作為鈦基體;

2)鈦基體的表面處理:將鈦基體置于10wt%的naoh溶液中震動(dòng)30min,沖洗干燥后,置于20wt%的草酸溶液中煮沸1-2h,沖洗干燥;

3)前驅(qū)體沉積:將步驟2)處理后的鈦基體置于含氯化鈦、氯化釕、氯化銥的ph為4的乙醇水溶液中沉積;其中乙醇水溶液中,乙醇與水的體積比為10:1;氯化鈦的濃度為66mm/l、氯化釕的濃度為19mm/l、氯化銥的濃度為13mm/l;

其中乙醇水溶液的配置方法如下:取110ml無(wú)水乙醇和11ml水進(jìn)行混合,加入計(jì)量的氯化鈦、氯化釕、氯化銥后采用hcl調(diào)節(jié)ph至4;

4)電解:以鉑電極為工作電極,以甘汞電極為參比電極,以步驟3)處理后的鈦基體為陰極,進(jìn)行電解,其中,工作電極與陰極間距為17mm,電沉積參數(shù)為:沉積浴溫度為4℃,陰極電流密度為29ma/cm2,電沉積時(shí)間為46min;

5)燒結(jié):將步驟4)處理后的鈦基體置于高溫爐,升溫速率為5℃/min,升溫至460℃燒結(jié)70min,得到透氣電極。

對(duì)比例

以鈦板作為鈦基體,按照金屬離子摩爾比ru:ir:ti=20:20:60將三氯化釕、氯銥酸、三氯化鈦溶于正丁醇中,然后涂敷在鈦基體上進(jìn)行熱解。烘干后于450℃燒結(jié)10min,重復(fù)15次,最后一次燒結(jié)60min。

檢測(cè)試驗(yàn)

1.電極參數(shù)測(cè)試

對(duì)實(shí)施例1-5和對(duì)比例得到的電極進(jìn)行電極涂層厚度、析氯電位、析氧電位和強(qiáng)化壽命測(cè)試,其結(jié)果如表1所示。

表1電極參數(shù)測(cè)試結(jié)果

從表1中,由實(shí)施例1-5與對(duì)比例的比較可知,采用本發(fā)明提供的方法制備的透氣電極,其析氯電位遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)方法制備的電極,且析氧電位高,強(qiáng)化壽命長(zhǎng)??紫堵室欢〞r(shí),孔徑越小,比表面積越大,但孔徑太小會(huì)限制涂層厚度和電解液的流動(dòng)。因此,存在一個(gè)最佳的孔徑大小和涂層厚度使得電極綜合性能最佳。當(dāng)孔徑15μm,沉積浴溫度為4℃,陰極電流密度為26ma/cm2,電沉積時(shí)間為39min時(shí)制備的透氣電極性能最佳。

2.電極電解評(píng)估

將實(shí)施例1-5以及對(duì)比例得到的電極在次氯酸鈉試驗(yàn)電解槽系統(tǒng)中作為陽(yáng)極被評(píng)估。在試驗(yàn)電解槽系統(tǒng)中,儲(chǔ)鹽水室裝有鹽水電解液,電解液借助蠕動(dòng)泵不斷進(jìn)入電解槽,其流速是用流量計(jì)測(cè)量的并且是通過(guò)調(diào)節(jié)電解槽的流量閥實(shí)施控制的。電解槽有電極,陽(yáng)極面積是100cm2,陰極是用純鈦制成,工作電極與陰極間距是3mm,來(lái)自直流穩(wěn)流電源的外加電壓5v,電流控制為15a。

試驗(yàn)系統(tǒng)是在下述條件下連續(xù)操作的:

溫度:25℃

電流密度:1.5ka/m2

工作電極與陰極間距:3mm

鹽水濃度:3%

鹽水流速:6l/h

分別用碘量滴定法測(cè)量naclo的濃度,記錄電解液溫度和電解槽電壓;分別對(duì)實(shí)施例1-5以及對(duì)比例得到的電極的電流效率、電耗和鹽耗進(jìn)行計(jì)算;其結(jié)果如表2所示。

從表2中,由實(shí)施例1-5與對(duì)比例的比較可知,采用本發(fā)明提供的方法制備的透氣電極,naclo產(chǎn)率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的電極,且鹽耗和電耗低??紫堵室欢〞r(shí),孔徑越小,比表面積越大,但孔徑太小會(huì)限制涂層厚度和電解液的流動(dòng)。因此,存在一個(gè)最佳的孔徑大小和涂層厚度使得電極綜合性能最佳。實(shí)施例4制備的透氣電極在電解過(guò)程中電解效率最高、電耗和鹽耗最低。

對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō),可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思,做出其它各種相應(yīng)的改變以及形變,而所有的這些改變以及形變都應(yīng)該屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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