1.一種具有低失調(diào)和高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)電路，其特征是，包括帶隙基準(zhǔn)核心；所述帶隙基準(zhǔn)核心是：串聯(lián)的第一電阻和第一雙極性晶體管構(gòu)成第一支路，兩個器件的連接處稱為節(jié)點x；第一電阻的第一端連接內(nèi)部電壓v1，第二端連接節(jié)點x；第一雙極性晶體管的基極連接第一電阻的第一端，集電極連接節(jié)點x，發(fā)射極接地；串聯(lián)的第二電阻和第二雙極性晶體管構(gòu)成第二支路，兩個器件的連接處稱為節(jié)點y；第二電阻的第一端連接內(nèi)部電壓v1，第二端連接節(jié)點y；第二雙極性晶體管的基極連接節(jié)點x，集電極連接節(jié)點y，發(fā)射極接地；第一電阻和第二電阻的電阻值相等；第一雙極性晶體管和第二雙極性晶體管的尺寸比是1：n，n為＞1的整數(shù)；所述第一電阻上產(chǎn)生正溫度系數(shù)電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有低失調(diào)和高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)電路，其特征是，所述帶隙基準(zhǔn)核心增加了：第五電阻與第一支路并聯(lián)，第六電阻與第二支路并聯(lián)；所述第一電阻上產(chǎn)生正溫度系數(shù)電流，所述第五電阻上產(chǎn)生負溫度系數(shù)電流，所述正溫度系數(shù)電流和所述負溫度系數(shù)電流疊加產(chǎn)生零溫度系數(shù)電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有低失調(diào)和高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)電路，其特征是，所述帶隙基準(zhǔn)電路還包括電流復(fù)制模塊、自偏置電流模塊、偏置電流反饋模塊及輸出支路，整體為電壓模結(jié)構(gòu)；帶隙基準(zhǔn)核心產(chǎn)生正溫度系數(shù)電流或者零溫度系數(shù)電流，稱為初始電流；電流復(fù)制模塊采用電流鏡結(jié)構(gòu)復(fù)制所述初始電流并提供給自偏置電流模塊；自偏置電流模塊接在工作電壓和地之間，自偏置電流模塊復(fù)制初始電流以產(chǎn)生自偏置電流，并為帶隙基準(zhǔn)核心和電流復(fù)制模塊提供自偏置電流；自偏置電流依次流經(jīng)電流復(fù)制模塊和帶隙基準(zhǔn)核心后產(chǎn)生實際電源電壓，串聯(lián)的電流復(fù)制模塊和帶隙基準(zhǔn)核心接在實際電源電壓和地之間；自偏置電流模塊還給輸出支路提供所述初始電流；偏置電流反饋模塊接在實際電源電壓和地之間，偏置電流反饋模塊泄放自偏置電流模塊產(chǎn)生的多余電流，維持自偏置環(huán)路穩(wěn)定工作；所述自偏置環(huán)路由帶隙基準(zhǔn)核心、電流復(fù)制模塊、自偏置電流模塊三者構(gòu)成；輸出支路接在工作電壓和地之間，輸出支路復(fù)制所述初始電流，和輸出支路本身產(chǎn)生的電流疊加，產(chǎn)生零溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電路的輸出電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有低失調(diào)和高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)電路，其特征是，所述帶隙基準(zhǔn)電路整體改為電流模結(jié)構(gòu)，電流復(fù)制模塊改為采用電流鏡結(jié)構(gòu)復(fù)制所述初始電流并提供給自偏置電流模塊和輸出支路；輸出支路改為接在實際電源電壓和地之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有低失調(diào)和高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)電路，其特征是，所述自偏置電流模塊產(chǎn)生的自偏置電流略大于帶隙基準(zhǔn)核心正常工作所需電流，多余部分經(jīng)過偏置電流反饋模塊泄放到地；所述偏置電流反饋模塊通過負反饋原理自主調(diào)節(jié)泄放電流量，維持實際電源電壓的電壓穩(wěn)定。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有低失調(diào)和高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)電路，其特征是，所述電流復(fù)制模塊采用兩個pmos管構(gòu)成的電流鏡，所述電流鏡迫使兩個pmos管工作在相同的偏置電流下，從而使得所述帶隙基準(zhǔn)核心的各條支路與所述電流復(fù)制模塊的連接處的電壓近似相等，起到鉗位作用；
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有低失調(diào)和高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)電路，其特征是，所述自偏置電流模塊由四個nmos管(nm1～nm4)、五個pmos管(pm3～pm7)、兩個電阻(r3～r4)組成；其中四個nmos管和電阻(r3)構(gòu)成nmos自偏置共源共柵電流鏡，四個pmos管(pm4～pm7)和電阻(r4)構(gòu)成pmos自偏置共源共柵電流鏡；所述自偏置電流模塊復(fù)制所述初始電流并經(jīng)過nmos自偏置共源共柵電流鏡和pmos自偏置共源共柵電流鏡為電流復(fù)制模塊和帶隙基準(zhǔn)核心提供自偏置電流和實際電源電壓(vdd_i)。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有低失調(diào)和高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)電路，其特征是，所述偏置電流反饋模塊由pmos管(pm8)、雙極性晶體管(q3)組成；所述偏置電流反饋模塊通過負反饋原理穩(wěn)定實際電源電壓(vdd_i)，實現(xiàn)工作電壓(vdd)和實際電源電壓(vdd_i)的隔離。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有低失調(diào)和高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)電路，其特征是，所述輸出支路由兩個pmos管(pm9～pm10)、電阻(r5)、雙極性晶體管(q4)依次串聯(lián)構(gòu)成；所述輸出支路復(fù)制正溫度系數(shù)的初始電流，在電阻(r5)上產(chǎn)生正溫度系數(shù)電壓，與雙極性晶體管(q4)的負溫度系數(shù)電壓疊加產(chǎn)生零溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓；其中兩個pmos管(pm9～pm10)和所述自偏置電流模塊中的兩個pmos管(pm4～pm5)構(gòu)成共源共柵電流鏡。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有低失調(diào)和高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)電路，其特征是，所述輸出支路中省略雙極性晶體管(q4)；所述輸出支路復(fù)制零溫度系數(shù)的初始電流，在電阻(r5)上產(chǎn)生零溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓。