技術特征:
技術總結
本發(fā)明公開了一種氟注入增強型HEMT器件中離化氟離子位置的測量方法,主要解決目前測量器件離化氟離子位置無法測量的問題。其實現方案是:首先測量器件的閾值電壓;其次對器件施加反向應力,同時監(jiān)測并統(tǒng)計器件的源漏電流和柵極電流;最后測量施加應力后的器件的閾值電壓,根據測量結果計算F注入增強型HEMT器件勢壘層內離化F離子的空間位置。本發(fā)明具有測量方法簡單可靠,測試結果準確的優(yōu)點,有利于提高后續(xù)對器件性能評估的準確性,可用于增強型HEMT器件的工藝優(yōu)化與分析表征。
技術研發(fā)人員:鄭雪峰;王士輝;吉鵬;王穎哲;馬曉華;郝躍
受保護的技術使用者:西安電子科技大學
技術研發(fā)日:2017.05.27
技術公布日:2017.10.10