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焊盤的表面處理方法及焊盤的制作方法

文檔序號:9599160閱讀:2083來源:國知局
焊盤的表面處理方法及焊盤的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請涉及半導(dǎo)體集成電路制作技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種焊盤的表面處理 方法及焊盤的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 芯片焊盤將芯片的輸入/輸出端(引腳)與外部器件、電路連接起來,是溝通芯片 內(nèi)部世界與外部電路的重要橋梁。隨著集成電路上晶體管及電路密度的增大,芯片上的輸 入/輸出引腳從幾十根逐漸增加到幾百根,甚至可能達(dá)到2000多根。因此,芯片焊盤是半 導(dǎo)體器件極為重要的連接構(gòu)件,焊盤的質(zhì)量直接影響引線連接等封裝工藝,甚至還會影響 芯片運(yùn)行速度以及半導(dǎo)體器件的各項(xiàng)性能。
[0003] 在現(xiàn)有技術(shù)中,焊盤的制作通常有兩種方法。一種方法是采用物理氣相沉積(PVD) 工藝在已形成互連金屬層的晶圓表面形成焊盤材料薄膜層,接著采用光刻工藝和蝕刻工藝 形成焊盤,然后對焊盤進(jìn)行灰化處理,以去除光刻膠,再對焊盤進(jìn)行濕法清洗形成焊盤。另 一種方法是在已形成互連金屬層的晶圓表面上涂上光刻膠,用具有焊盤圖形的掩膜對導(dǎo)電 層進(jìn)行光刻和刻蝕,形成焊盤的圖形,然后采用物理氣相沉積工藝沉積焊盤材料薄膜層,最 后在焊盤上形成聚酰亞胺保護(hù)層。
[0004] 焊盤在制造以及與金屬互連線的連接過程中會在焊盤上引入缺陷,例如,焊盤松 動,焊盤晶格損傷,焊盤表面引入雜質(zhì)及凹坑等。下面將以凹坑缺陷為例,具體闡明焊盤缺 陷的形成過程:因?yàn)榻饘倩ミB線需要與焊盤之間形成相連,所以互連線材料的原子會擴(kuò)散 到焊盤材料的晶界處,結(jié)晶形成細(xì)小的晶粒;因?yàn)楹副P制作過程中通常需要采用濕法清洗 工藝來清洗焊盤的表面,以除去光刻膠或者制備工藝中殘留的其他雜質(zhì),所以在清洗過程 中細(xì)小的晶粒會與清洗溶液發(fā)生化學(xué)反應(yīng),導(dǎo)致細(xì)小的晶粒被腐蝕掉,從而在焊盤上留下 了凹坑形成凹坑缺陷。焊盤上的凹坑也是目前焊盤制造工藝中最常見的缺陷之一。圖1示 出了現(xiàn)有焊盤的制作方法得到的焊盤表面電鏡圖,從該電鏡圖中可以看出,焊盤上不但存 在較大尺寸的凹陷,也存在許多尺寸較小的凹陷。
[0005] 焊盤存在上述缺陷后,會對焊盤的導(dǎo)電性和可靠性造成負(fù)面影響。例如,焊盤表面 存在的凹坑會造成焊盤與引線鍵合的強(qiáng)度變低,使得引線與焊盤接觸不良,芯片與外部電 路的電流輸入輸出不夠穩(wěn)定,甚至造成芯片不能正常使用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本申請旨在提供一種焊盤的表面處理方法及焊盤的制作方法,以減少焊盤表面上 的缺陷。
[0007] 本申請?zhí)峁┝艘环N焊盤的表面處理方法,該焊盤與互連金屬層鍵合,該表面處理 方法包括以下步驟:對焊盤進(jìn)行表面氧化處理;對表面氧化處理后的焊盤進(jìn)行濕法清洗。
[0008] 進(jìn)一步地,上述表面處理方法中,表面氧化處理的步驟包括:將氧氣和氮?dú)庑纬傻?混合氣體送入真空等離子腔體中;電離該混合氣體,生成氧等離子體;將氧等離子體與焊 盤表面進(jìn)行接觸。
[0009] 進(jìn)一步地,上述表面處理方法中,混合氣體中氮?dú)夂脱鯕獾捏w積比在I : 10~2000 的范圍內(nèi)。
[0010] 進(jìn)一步地,上述表面處理方法中,氧氣的體積流量為2000~10000毫升/分鐘。
[0011] 進(jìn)一步地,上述表面處理方法中,氮?dú)獾捏w積流量為5~200毫升/分鐘。
[0012] 進(jìn)一步地,上述表面處理方法中,采用射頻電離混合氣體從而生成氧等離子體,射 頻的感應(yīng)功率為50~2500瓦。
[0013] 進(jìn)一步地,上述表面處理方法中,表面氧化處理的溫度為250°C~320°C,表面氧 化處理的時間為40~100秒。
[0014] 進(jìn)一步地,上述表面處理方法中,將氧等離子體與焊盤表面進(jìn)行接觸后,形成的氧 化處理層厚度不小于H>〇A,
[0015] 進(jìn)一步地,上述表面處理方法中,濕法清洗所采用的溶劑為氨水和雙氧水的混合 物。
[0016] 本申請還提供了一種焊盤的制作方法,該制作方法包括:在具有互連金屬層的襯 底上沉積焊盤材料薄膜;刻蝕焊盤材料薄膜形成焊盤;對焊盤進(jìn)行表面灰化處理;按照本 申請?zhí)峁┑谋砻嫣幚矸椒▽副P的表面進(jìn)行處理。
[0017] 應(yīng)用本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案,通過對焊盤進(jìn)行表面氧化處理,將從互連金屬層擴(kuò) 散到焊盤中的金屬晶粒進(jìn)行氧化,使得金屬晶粒不會被后續(xù)的濕法清洗所腐蝕去除,從而 減少了焊盤表面上由于金屬晶粒被去除所產(chǎn)生的缺陷,進(jìn)而有利于提高后續(xù)引線鍵合的強(qiáng) 度和芯片的封裝效果。
【附圖說明】
[0018] 附圖構(gòu)成本說明書的一部分、用于進(jìn)一步理解本申請,附圖示出了本申請的優(yōu)選 實(shí)施例,并與說明書一起用來說明本申請的原理。圖中:
[0019] 圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有焊盤的制作方法得到的焊盤表面的電鏡圖;
[0020] 圖2示出了本申請?zhí)峁┑暮副P的表面處理方法的流程示意圖;
[0021] 圖3示出了本申請?zhí)峁┑暮副P的制作方法的流程示意圖;以及
[0022] 圖4示出了根據(jù)本申請?zhí)峁┑暮副P的制作方法得到的焊盤表面的電鏡圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023] 下面,將參照附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)本申請的示例性實(shí)施例。然而,這些示例性實(shí) 施例可以由多種不同的形式來實(shí)施,并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施例。應(yīng) 當(dāng)理解的是,提供這些實(shí)施例是為了使得本申請的公開徹底且完整,并且將這些示例性實(shí) 施例的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。但是本申請可以由權(quán)利要求限定和覆蓋的多 種不同方式實(shí)施。
[0024] 由【背景技術(shù)】可知,現(xiàn)有焊盤的表面存在凹坑等缺陷,本申請的發(fā)明人針對上述問 題進(jìn)行研究,提出了一種焊盤的表面處理方法及焊盤的制作方法。該焊盤與互連金屬層鍵 合,如圖2所示,該表面處理方法包括以下步驟:對焊盤進(jìn)行表面氧化處理;對表面氧化處 理后的焊盤進(jìn)行濕法清洗。該表面處理方法通過對焊盤進(jìn)行表面氧化處理,將從互連金屬 層擴(kuò)散到焊盤中的金屬晶粒進(jìn)行氧化,使得金屬晶粒不會被后續(xù)的濕法清洗所腐蝕去除, 從而減少了焊盤表面上由于金屬晶粒被去除所產(chǎn)生的缺陷,進(jìn)而有利于提高后續(xù)引線鍵合 的強(qiáng)度和芯片的封裝效果。
[0025] 在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中,上述表面氧化處理的步驟包括:將氧氣和氮?dú)庑纬傻?混合氣體送入真空等離子腔體中;電離該混合氣體,生成氧等離子體;將氧等離子體與焊 盤表面進(jìn)行接觸。上述去除方法通過對焊盤進(jìn)行表面氧化處理,將擴(kuò)散到焊盤中的金屬晶 粒進(jìn)行氧化,使得金屬晶粒不會被后續(xù)的濕法工藝腐蝕,從而解決了焊盤中表面缺陷的問 題。
[0026] 為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本申請,現(xiàn)在,將更詳細(xì)地描述根據(jù)本申請的 示例性實(shí)施方式。然而,這些示例性實(shí)施方式可以由多種不同的形式來實(shí)施,并且不應(yīng)當(dāng) 被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)理解的是,提供這些實(shí)施方式是為了使得本 申請的公開徹底且完整,并且將這些示例性實(shí)施方式的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人 員。
[0027] 首先,將氧氣和氮?dú)庑纬傻幕旌蠚怏w送入真空等離子腔體中。在本申請?zhí)峁┑囊?個【具體實(shí)施方式】中,該步驟包括:將載有焊盤的芯片放在等離子腔體中;抽真空,然后將氧 氣以及氮?dú)馑腿氲入x子腔體中。其申請人發(fā)現(xiàn),氮?dú)獾募尤敕浅S欣谘鯕獍l(fā)生電離,是氧 氣電離生成等離子體的"催化劑"。優(yōu)選地,混合氣體中氮?dú)夂脱鯕獾捏w積比在I :10-2000 的范圍內(nèi),將氮?dú)馀c氧氣的體積比控制在上述范圍內(nèi)可使得氮?dú)獬浞职l(fā)揮催化作用,加快 氧氣的電離。在【具體實(shí)施方式】中,可將氧氣的體積流量控制在2000-10000毫升/分鐘的范 圍內(nèi),可將氮?dú)獾捏w積流量控制在5-200毫升/分鐘的范圍內(nèi),在此范圍內(nèi)的氧氣機(jī)氮?dú)饬?量表現(xiàn)出了更好的氧化處理效果。
[0028] 然后,對上述混合氣體進(jìn)行電離,生成氧等離子體?;旌蠚怏w中的N2當(dāng)然也會被 電離,它的作用是作為O 2電離化的催化劑。進(jìn)行氣體電離的方法可以采用本領(lǐng)域常規(guī)的電 離方法。在本申請所提供的【具體實(shí)施方式】中,采用射頻電離混合氣體。按照預(yù)先設(shè)定的工 藝,將射頻波施加到等離子腔體中,使得導(dǎo)入的氧氣以及氮?dú)獍l(fā)生電離,從而生成氧等離子 體。在本申請?zhí)峁┑囊粋€【具體實(shí)施方式】中所采用的射頻感應(yīng)功率為50-2500瓦,當(dāng)然,功率 可以根據(jù)制程需要來選擇,過低可能導(dǎo)致電離程度不夠達(dá)不到預(yù)期的效果,太大了也容易 有 PID (plasma induced damage)的風(fēng)險(xiǎn)。
[0029] 最后,電離后生成的氧等離子體與焊盤表面進(jìn)行接觸。優(yōu)選的,氧化處理的時間為 40-100秒,氧化處
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