本實用新型屬于X射線平板探測器設(shè)計領(lǐng)域，特別是涉及一種用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料。

背景技術(shù)：

近年來，照相平板印刷和微電子技術(shù)領(lǐng)域的不斷進(jìn)步，使集成基于TFT陣列讀出裝置的大面積X射線探測器的應(yīng)用越來越普及?；赥FT的平板系統(tǒng)的電荷收集和讀出電子元件緊貼與X射線發(fā)生交互作用的材料層，使X光的探測器的結(jié)構(gòu)緊湊，并能實時轉(zhuǎn)化為數(shù)字影像，因此X射線探測器正成為醫(yī)療輻射成像，工業(yè)探傷和安檢的中堅力量。

X射線平板探測器的成像過程需要經(jīng)歷X射線到可見光，然后電荷圖像到數(shù)字圖像的成像轉(zhuǎn)換過程，通常也被稱作間接轉(zhuǎn)換型平板探測器，是一種以非晶硅光電二極管陣列為核心的X射線影像探測器。在X射線照射下探測器的閃爍體或熒光體層將X射線光子轉(zhuǎn)換為可見光，而后由具有光電二極管作用的非晶硅陣列變?yōu)閳D像電信號，通過外圍電路積分讀出及A/D變換，從而獲得數(shù)字化圖像。非晶硅平板探測器具有成像速度快，良好的空間及密度分辨率，高信噪比，直接數(shù)字輸出等顯著優(yōu)點。

然而，X射線平板探測器設(shè)備的自動化程度高，各種轉(zhuǎn)動部件所使用的電機產(chǎn)生的電磁干擾可能會影響圖像質(zhì)量，從而影響客戶體驗。

現(xiàn)有的平板探測器通常采用密度低的鎂鋁合金作為結(jié)構(gòu)件，用以減輕探測的重量。然而，鎂鋁合金的抗電磁干擾能力弱，并不能為X射線平板探測器提供很好的電磁防護(hù)能力。

基于以上所述，提供一種能夠有效提高平板探測器中TFT電路正面的抗干擾能力的結(jié)構(gòu)件實屬必要。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的在于提供一種用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中鎂鋁合金的抗電磁干擾能力弱，并不能為X射線平板探測器提供很好的電磁防護(hù)能力的問題。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實用新型提供一種用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料，所述電磁屏蔽復(fù)合材料包括：鎂鋁結(jié)構(gòu)件，包括相對的第一表面以及第二表面；以及鐵鎳合金層，覆蓋于所述鎂鋁結(jié)構(gòu)件的至少一個表面上。

作為本實用新型的用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料的一種優(yōu)選方案，所述鐵鎳合金層為經(jīng)過退火處理的電鍍鐵鎳合金層。

作為本實用新型的用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料的一種優(yōu)選方案，所述鎂鋁結(jié)構(gòu)件的第一表面以及第二表面均覆蓋有鐵鎳合金層。

作為本實用新型的用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料的一種優(yōu)選方案，所述鐵鎳合金層直接與所述鎂鋁結(jié)構(gòu)件的表面接觸。

作為本實用新型的用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料的一種優(yōu)選方案，所述鐵鎳合金層中的合金晶粒的尺寸范圍為1～10微米。

作為本實用新型的用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料的一種優(yōu)選方案，所述鐵鎳合金層的厚度范圍為5～20微米。

作為本實用新型的用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料的一種優(yōu)選方案，所述鎂鋁結(jié)構(gòu)件的厚度范圍為1～10毫米。

如上所述，本實用新型的用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料，具有以下有益效果：

1、本實用新型在鎂鋁合金結(jié)構(gòu)件表面制作鐵鎳合金層，使得原本不具防護(hù)電磁干擾能力的鎂鋁合金結(jié)構(gòu)件能夠防護(hù)電磁干擾，擴(kuò)展了其應(yīng)用范圍。

2、通過電鍍后進(jìn)行激光退火的工藝，可以快速對鐵鎳合金層進(jìn)行表面處理。使電鍍出來的鐵鎳合金晶粒長大至1～10微米，大大提高了鐵鎳合金層的電磁屏蔽效果。

3、本實用新型的電磁屏蔽復(fù)合材料，在電磁防護(hù)領(lǐng)域尤其是X射線平板探測器設(shè)計領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

附圖說明

圖1～圖3顯示為本實用新型實施例1中的用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料的制備方法各步驟所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，圖3顯示為本實用新型實施例1中的用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4～圖6顯示為本實用新型實施例2中的用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料的制備方法各步驟所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，圖6顯示為本實用新型實施例2中的用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)示意圖。

元件標(biāo)號說明

101 鎂鋁結(jié)構(gòu)件

102 電鍍的鐵鎳合金層

103 退火后的鐵鎳合金層

具體實施方式

以下通過特定的具體實例說明本實用新型的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點與功效。本實用新型還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本實用新型的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請參閱圖1～圖6。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本實用新型的基本構(gòu)想，遂圖示中僅顯示與本實用新型中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

實施例1

如圖3所示，本實施例提供一種用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料，所述電磁屏蔽復(fù)合材料包括：鎂鋁結(jié)構(gòu)件101，包括相對的第一表面以及第二表面；以及鐵鎳合金層103，覆蓋于所述鎂鋁結(jié)構(gòu)件101的第一表面上。

作為示例，所述鐵鎳合金層103為經(jīng)過退火處理的電鍍鐵鎳合金層。

作為示例，所述鐵鎳合金層103直接與所述鎂鋁結(jié)構(gòu)件101的表面接觸。

作為示例，所述鐵鎳合金層103中的合金晶粒的尺寸范圍為1～10微米。在本實施例中，所述鐵鎳合金層103中的合金晶粒的尺寸范圍為4～8微米。

作為示例，所述鐵鎳合金層103的厚度范圍為5～20微米。在本實施例中，所述鐵鎳合金層103的厚度范圍10微米。

作為示例，所述鎂鋁結(jié)構(gòu)件101的厚度范圍為1～10毫米。在本實施例中，所述鎂鋁結(jié)構(gòu)件101的厚度為5毫米。

作為示例，所述用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料用于承載X射線探測器的電路板，同時支撐TFT平板，例如，所述電磁屏蔽復(fù)合材料為盒狀結(jié)構(gòu)，所述TFT平板被支撐于所述盒狀結(jié)構(gòu)的上表面，所述電路板則設(shè)置于所述盒狀結(jié)構(gòu)內(nèi)，這種結(jié)構(gòu)可以有效通過本實用新型的電磁屏蔽復(fù)合材料對電路板進(jìn)行電磁防護(hù)，以增強其抗干擾能力。

如圖1～圖3所示，本實施例還提供一種用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料的制備方法，包括步驟：

如圖1所示，首先進(jìn)行步驟1)，提供一鎂鋁結(jié)構(gòu)件101，至少去除所述鎂鋁結(jié)構(gòu)件101第一表面的氧化層；

如圖2所示，然后進(jìn)行步驟2)，在所述鎂鋁結(jié)構(gòu)件101的第一表面電鍍鐵鎳合金層102，所述鐵鎳合金層102的厚度范圍為5～10微米左右；

如圖3所示，接著進(jìn)行步驟3)，電鍍出來的鐵鎳合金晶粒尺寸較小，對鐵鎳合金層表面進(jìn)行激光退火形成退火后的鐵鎳合金層103，使得鐵鎳合金晶粒的尺寸長大至4～8微米，同時消除所述鐵鎳合金層的表面缺陷；

最后進(jìn)行步驟4)，將表面處理好的帶有鐵鎳合金層103的鎂鋁結(jié)構(gòu)件101用于平板探測器的裝配。

實施例2

如圖6所示，本實施例提供一種用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料，所述電磁屏蔽復(fù)合材料包括：鎂鋁結(jié)構(gòu)件101，包括相對的第一表面以及第二表面；以及鐵鎳合金層103，覆蓋于所述鎂鋁結(jié)構(gòu)件101的第一表面以及第二表面上。

作為示例，所述鐵鎳合金層103為經(jīng)過退火處理的電鍍鐵鎳合金層。

作為示例，所述鐵鎳合金層103直接與所述鎂鋁結(jié)構(gòu)件101的表面接觸。

作為示例，所述鐵鎳合金層103中的合金晶粒的尺寸范圍為1～10微米。在本實施例中，所述鐵鎳合金層103中的合金晶粒的尺寸范圍為4～8微米。

作為示例，所述鐵鎳合金層103的厚度范圍為5～20微米。在本實施例中，所述鐵鎳合金層103的厚度范圍10微米。

作為示例，所述鎂鋁結(jié)構(gòu)件101的厚度范圍為1～10毫米。在本實施例中，所述鎂鋁結(jié)構(gòu)件101的厚度為5毫米。

作為示例，所述用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料用于承載X射線探測器的電路板，同時支撐TFT平板，例如，所述電磁屏蔽復(fù)合材料為盒狀結(jié)構(gòu)，所述TFT平板被支撐于所述盒狀結(jié)構(gòu)的上表面，所述電路板則設(shè)置于所述盒狀結(jié)構(gòu)內(nèi)，這種結(jié)構(gòu)可以有效通過本實用新型的電磁屏蔽復(fù)合材料對電路板進(jìn)行電磁防護(hù)，以增強其抗干擾能力。

如圖4～圖6所示，本實施例還提供一種用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料的制備方法，包括步驟：

如圖4所示，首先進(jìn)行步驟1)，提供一鎂鋁結(jié)構(gòu)件101，并去除所述鎂鋁結(jié)構(gòu)件101第一表面以及第二表面的氧化層；

如圖5所示，然后進(jìn)行步驟2)，在所述鎂鋁結(jié)構(gòu)件101的第一表面以及第二表面電鍍鐵鎳合金層102，所述鐵鎳合金層102的厚度范圍為5～10微米左右；

如圖6所示，接著進(jìn)行步驟3)，電鍍出來的鐵鎳合金晶粒尺寸較小，對鐵鎳合金層表面進(jìn)行激光退火形成退火后的鐵鎳合金層103，使得鐵鎳合金晶粒的尺寸長大至4～8微米，同時消除所述鐵鎳合金層的表面缺陷；

最后進(jìn)行步驟4)，將表面處理好的帶有鐵鎳合金層103的鎂鋁結(jié)構(gòu)件101用于平板探測器的裝配。

如上所述，本實用新型的用于平板探測器的電磁屏蔽復(fù)合材料，具有以下有益效果：

1、本實用新型在鎂鋁合金結(jié)構(gòu)件表面制作鐵鎳合金層，使得原本不具防護(hù)電磁干擾能力的鎂鋁合金結(jié)構(gòu)件能夠防護(hù)電磁干擾，擴(kuò)展了其應(yīng)用范圍。

2、通過電鍍后進(jìn)行激光退火的工藝，可以快速對鐵鎳合金層進(jìn)行表面處理。使電鍍出來的鐵鎳合金晶粒長大至1～10微米，大大提高了鐵鎳合金層的電磁屏蔽效果。

3、本實用新型的電磁屏蔽復(fù)合材料，在電磁防護(hù)領(lǐng)域尤其是X射線平板探測器設(shè)計領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

所以，本實用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。

上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效，而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下，對上述實施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本實用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實用新型的權(quán)利要求所涵蓋。